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-소스 사이의 전압에서 드레인-소스 사이 전압의 변화가 드레인전류를 변화시키는 함수로서 이러한 곡선은 JFET드레인 특성곡선이라고 한다.
3. 그림 19-3의 곡선이 평평해지기 시작하는 점에서 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VP (c) VGS(off) (d) 앞의
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드레인을 쇼트시켜서 전압이 같아지도록 만들어준 회로이다. 그러므로 가 되므로 이 회로는 항상 포화영역이 되는 것을 알 수 있다. 를 증가해줌에 따라서 1.7V부근에서 이것역시 급격히 증가하게 되는데 이때가 문턱전압이 된다는 것을 확인
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이트가 정하고, 얼만큼 흘려주는 것에 대한 것은 드레인전압에서 결정하게 됨. 소스를 기준으로 게이트 전압이 기준되고, 이를 기준으로 드레인전압이 정해짐
드레인쪽에 전압은 커질 수 있는데 커지면 커질수록 전류가 커지는 것이며, linear
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VGS의 최대값인 VGS(off)를 확인할 수 있다.
3. 그림 20-1의 시험회로에서 다이오드는 무엇을 위해 쓰이는가?
(a) 드레인전류의 최대값을 제한하기 위해
(b) 게이트와 소스 접합을 순방향 바이어스하기 위해
(c) 게이트와 소스 접합을 역방향 바이어
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과, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있다.
2. 이론
FETs (Field Effect Transistor)
(1)FET 소자의 기능은 BJT와 똑같다. 특징으로서는 BJT구동을 위한 전
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드레인 전류의 log scale로 하여 그래프로 나타낸 후 오른쪽의 선형 영역에서 log(ID)가 한 decade만큼 변화될 때의 기울기를 구해 SS(subthreshold slope)를 구한다. 그 결과 값은 372 mV/decade로 유기물 소자의 대략적인 SS값인 70 mV/decade에 비해 좋지 못했다.
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