|
급격히 증가하게 되는데 이때가 문턱전압이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 가 되고 의 식에 숫자를 넣으면 은 가 되는 것을 알 수 있었다. 1. 제목
1) MOSFET 기본 특성
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
1) 실험1.1
1) 실험1.2
|
|
|
MOSFET 공통 소스 증폭기 회로를 시뮬레이션 하시오
Ch A의 출력값의 평균이 “0”이 아니라서 DC Offset을 1mv로 주어 평균값을 1로 맞추었다.
회로
[V]
전압이득
시뮬레이션 값
전압이득
이론 값
공통 소스 증폭기
0.2V
1.925V
8.3
8.5
3 Pre-Lab(예비실험):
|
|
|
주파수 를 측정해보니 =83.586Hz가 나오고 =1.3914MHz가 나왔다. 이를 통해 대역폭을 계산하면 약 1.3913MHz가 나온다. 전자회로실험 예비보고서
9장. MOSFET 증폭기 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
|
|
|
138.332u-114.675u = 23.657u
=> 5.0V의 90%인 약 4.5V의 값부터 10%인 약 0.5V의 값까지의 변화 시간을 측정해보면, 약 23.657us가 나오게 됩니다.
=> 위 그래프에서 약 0.2ms까지가 한 주기입니다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비 실험
|
|
|
생각됩니다. 이론값을 구할 때는 문턱전압의 값을 3V라고 생각하고 계산하였습니다.
공식 를 이용하여 를 계산하면 다음 표를 만들 수 있습니다.
1.5
0
2.0
3180
2.5
710
3.2
330
4.5
180 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비 실험
|
|
메뉴펼치기
