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실험 7 실험 IC : 555 타이머 실험
◎ 결과 보고서
1. 2)-1 이론치 : *VCC(5) = 3.3V ,, 실험치 : 4V
1. 2)-2 이론치 : Hi=0.695(R+R)C=0.7ms ,, low=0.695Ra*C=0.23ms
실험치 : Hi=0.6ms low=0.26ms
1. 2)-3 이론치 : T=0.695(R+2R)C ,, T=0.93mHz ,, 실험치 : 0.925mHz
1. 2)-4 이론치 : D===75% ,,
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5V이므로 위와 같은 그래프가 나왔다.
▶ 저항전압 같은 경우, FG출력이 0.5V가 계속 주어질 때, 0.5V까지 올라가다가, FG출력이 -0.5V가 된 순간부터 값이 떨어져서 0V가 되었고, 이를 계속 반복하였다.
5.3 실험 4.3의 결과가 예상과 일치하는가? 이론
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실험에서 사용되는 MOSFET 트랜지스터나 릴레이와 같은 반도체 스위칭 장치로 구성된다.
우리 회로에서 사용된 IRF540 또한 MOSFET 트랜지스터이다.
이 회로에서 주의할 점은 아래 사진의 양방향 제어에서 스위치를 1,2,3,,4로 둘 때 1,3 번이 열리면
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실험과 동일하게 저항은 1kΩ을 사용하여 측정한 V_0와 다이오드의 방향을 반대로 하고 측정한 V_0의 파형은 다음과 같다.
{첫 번째 회로-다이오드가 정방향일 때} {첫 번째 회로-다이오드가 역방향일 때}
{두 번째 회로-다이오드가 정방향
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LED 정격, http://harrys.co.kr/blog/lab/51 1. 개요
2. 작동 구상
3. 회로도
4. 작동원리
5. 사용기기
6. 고찰
7. 참고문헌
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파형을 5)의 결과와 비교하여 그림으로 나타낸다.
신호발생기의 주파수 설정
스크린상에 나타난 주기수
스코프의 Time/Div 설정
1000Hz
5개
250us
2000Hz
5개
250us
500Hz
5개
1.0ms
표 1 가청주파수 신호발생기의 실험
사인파
톱니파
구형파
1000Hz
2000Hz
표 2
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회로에서는 다이오드의 성질에 의해 중첩의 원리가 성립되지 않을것이라고 예상할수 있다.
또한 다른 실험책을 찾아보면 중첩의 원리를 실험 하기에 앞서 선형회로라는 전제조건을 주는것도 있음을 확인 할 수 있었다.
참고서적 : 전기전자
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실험을 통하여 커패시터의 기능을 좀더 세부적으로 이해할 수 있었고 커페시터에 저항이 딸린 회로에 전압을 걸어주어 저항 및 커페시터에 걸리는 전압의 파형을 확인할 수 있었다. 커패시터, RL 회로의 과도 응답
1. 요 약
2. 실험 준
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동작을 실험을 통해 알아볼 수 있었으므로, op amp의 기초적인 동작을 이해하고 확인하고자 했던 초기 목표에 맞는 실험을 했다고 할 수 있을 것이다. ◎ 예비 보고서
▶ 실험의 목표
▶ 실험 이론
◎ 결과 보고서
▶ 검토 및 결론
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실험이었다. 이번 실험은 옴의 법칙(V=I×R)이 잘 적용되는 것을
실험을 통해 직접 체험해 볼 수 있었고, 또 회로를 구성해서 전압과 전류를 어떻게 측정하는지 알아 본 실험이었다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3.
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