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브릿지회로에 대하여
스트레인 게이지
스트레인 게이지 브리지회로
2 게이지법 및 4 게이지법 감도증가회로
브리지 상수(bridge constant)
각종 브리지 회로
회전축에서의 스트레인 게이지 사용
응력 - 스트레인 관계
스트레인게이지의 응
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회로를 연결한다. 표준 arm R3는 최대 설정값에 (10k)에서 나타낼 것이다.
4.예비보고서
(1)휘트스톤 브리지의 측정된 가변 저항을 이라 한다.
(2)평형 상태에서 검류계의 전류는 이다.
(3)제로 중심 검류계의 전류의 방향은 지침이 움직이는 방향에
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회로가 리플 함유량이 더 적기 때문에 효율이 좋다. 참고로 필터(캐패시터 성분이 있는)를 거치면 리플 함유량이 상당히 줄어든다.
※종합 검토 및 논의
이번 브리지 전파정류회로 실험은 다이오드의 특성을 이해하고 단방향으로만 전류가 흐
제너 다이오드의 로우딩, 반파 정류회로, 브릿지 전파 정류회로, 제너 다이오드의 로우딩 반파 정류회로, 실험(3) 결과 3-3,4,6제너 다이오드의 로우딩,반파 정류회로,브릿지 전파 정류회로,,
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크게 함으로서 리플을 더 줄일 수 있다는 것을 알았다. 브리지 정류 회로에서 정류된 파형을 직류로 만들기 위해서 저주파 필터를 사용해야 된다는 것을 알았다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. PSpice 시뮬레이션 및 고찰
고찰 및 토론
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전류가 흐르지 않는 다는 의미와도 일맥상통한다. 서서히 저항 값을 증가 시켜주면 그때서야 파형이 서서히 나오나가 완전히 저항을 올려 주면 거의 일직선에 가까운 직류화 된 전압을 볼 수 있다. 또 한 캐패시터의 용량을 올려주게 되면 올
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평행사변형 법칙에 의해 계산.
4) 교류 회로의 기호법 표시
[1] 복소수에 의한 벡터 표시
(가) 복소수
① 복소수의 성질
a. 복소수=실수 + 허수
b. (허수)2=음수
c. 허수의 단위는 j 또는 i 로 표시.
d. 복소수 :
e. 절대값 : 복소수의 크기를 나타내
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회로망을 접속하였을 때 전원회로를 하나의 전류원과
병렬 저항으로 대치한다.
2. G0 : 전류원을 개방하고 출력단에서 구한 합성저항. (1)전기회로
(2)옴의 법칙
(3)저항의 접속
(4)전위의 평형
(5) 키르히호프의 법칙
(6)회로망정리
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회로 설계------------------------------ 10
2.6 브릿지 회로를 이용한 정류회로 ------------------------------------- 11
2.7 저항과 커패시터만을 이용한 정류회로 -------------------------------- 12
3. 결과 및 고찰 ------------------------------------------------------ 13
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전류법칙) : 회로의 한 접속점에서 접속점에 흘러들어 오는 전류의 합과 흘러나가는 전류의 합은 같다.
Σ유입전류=Σ유출전류
[2] 키르히호프의 제2법칙
① 키르히호프의 제2법칙(전압법칙) : 회로망 중의 임의의 폐회로 내에서 일주 방향
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전류(약 50mA)와 조건에 맞는 리플에 맞게 설계한다.
단, I : 직류 부하전류
f : 리플주파수
C : 커패시턴스
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공
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