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이론값은 구하고 측정값을 구할수 없는 이유도 인덕터에 저장되는 자기에너지가 작아서 측정을 하기가 어려웠기 때문입니다. 또한 측정을 한다 하더라도 정확한 결과를 얻기가 어렵습니다. 따라서 RL회로의 실험을 하였지만 실제적으로는 R
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과 , 또 이때의 와 양단의 전압 은 어떤 값인가?
[표 14-2]
[Ω]
[V]
[mW]
[mW]
[%]
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
x + 100
x + 200
x + 300
x + 400
x + 500
x + 600
x + 700
x + 800
x + 900 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진행방법
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실험 결과 및 분석
2. 비고 및 고찰
3. 설계 및 고찰
(1) <그림 21.11>의 회로를 떼어낸 후의 기억시킨 결과는 일치하는가?
(2) PROM과 EPROM을 비교 설명하라.
(3) static RAM과 Dynamic RAM의 차이를 설명하라.
(4) RAM 2114에서 데이터를 읽는 과정을 타
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작동하기 위한 커패시터의 전압이 최소 =50[V]라고 할 때, 충전에 필요한 최소의 시간을 3초로 설정하기 위한 저항 값 R을 구하라.
1) 스위치가 열렸을 때
2) 스위치가 닫혔을 때
, 실험목적
실험준비물
예비과제
실험
설계 및 고찰
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RC회로에서 충전식은
시간상수는
반감기는 으로 계산 할 수 있다.
반감기가 클수록 시간상수 값도 커지고, 시간상수 값이 크다는 것은 충전이 완료 될 때까지의 시간이 길다는 것을 의미한다. 1.실험목적
2.이론 및 원리
3.결과
4.결론
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회로를 구성하는 실험이었는데 꼭 SOP가 아니어도 POS로도 회로를 구현하는데 문제가 없다는 것을 알았다. 이번 실험은 LED가 변하는 모습을 관찰하면서 이론상으로만 하던 것을 실제로 실체와 시켜보니 정말 신기하고, 실험이란 과목에 조금
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●관련이론
1. 평균 컬랙터 특성, 에미터 공통회로 구성
2. 컬렉터 특성(VCE-IC)을 위한 실험회로
●실험순서
●실험데이터
<표 10.1 VCE 대 IC 측정>
<표10.1의 데이터를 이용한 에미터 공통연결에 대한 컬랙터 특성 그래프>
*결론 및 고찰
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실험을 통해 함수발생기의 내부저항 값과 비슷한 51Ω 저항에 걸리는 전압을 측정함으로서 함수발생기 내부의 저항값을 알아볼 수 있었다. 실험 4. 부하 효과 (loading effect)
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예
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역률을 구하여 표 15.4 (b)를 완성하라.
5. 참고자료
회로해석 ( 임제탁 김수중 김종교 공역)
한남대 수업자료
http://picaso.hannam.ac.kr/courses/Undergraduate/EEcirLab1/Lectnotes/6%C0%E5%B9%DF%C7%A5.pdf 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
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같다는것을 확인하였다. 또한 직렬연결에서 V = RI, V = RI, V = RI와 V = V+V+V=(R+R+R)I가 됨을 수치를 통하여 계산해보니 비슷한값이 나왔다. 병렬연결에서도 I=I+I+I=()V라는 이론상의 식을 측정값을 넣에 계산에 해보니 근접한값이 도출되었다.
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