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해 이들 회로의 응답 특성을 확인하는 과정에서 실제 값과 이론적 값 간의 차이를 관찰할 수 있었다. 이러한 차이는 회로에서 발생하는 손실이나 비선형 요소 때문일 수 있다. 실험 결과는 회로의 설계 및 분석에 있어 중요한 참고자료가 되며
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이다. KCL과 KVL을 통해 배운 이론을 실제 데이터와 비교하는 경험은 학생들에게 전자 회로의 이해를 깊게 해주고, 회로 설계 및 문제 해결 능력을 향상시키는 데 크게 기여한다. 특히 실험을 통해 이론이 실제로 어떻게 적용되는지를 직접 관찰
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회로 해석에 대한 깊은 이해를 도왔다. 전류원이 얼마나 효과적으로 회로의 동작을 설명할 수 있는지를 확인하면서, 이론적 지식의 실용성을 느꼈다. 이러한 경험은 회로 설계 및 분석에 있어 중요한 기초가 될 것이며, 실제 전자 회로에서의
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이해할 수 있었다. 교류회로에서는 저항, 인덕터, 커패시터의 조합이 어떻게 전체 회로의 임피던스에 영향을 미치는지 실험적으로 확인했다. 이론적으로 예측한 값들과 실험 결과를 비교해보았을 때 몇 가지 차이점이 있음을 알 수 있었다.
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회로 구성, 측정 등 모든 과정에 직접 참여해야 한다.
실험 전에 기본적인 이론과 계측기 사용법을 충분히 익힌다.
각종 계측기와 도구에 과부하가 걸리지 않도록 유의하고, 감전에 주의한다.
4.3 실험 중
디지털 멀티미터로 전류를 측정할
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다양한 증폭기 설계 실습은 전자공학의 기초를 다지는 중요한 과정이다. 실습을 통해 얻은 경험은 이론적 지식을 실제로 적용해 보면서 많은 학습 효과를 가져온다. 여러 가지 증폭기 회로를 설계하고 분석함으로써 Op Amp의 동작 원리와 특성
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이론치 : *VCC(5) = 3.3V ,, 실험치 : 4V
1. 2)-2 이론치 : Hi=0.695(R+R)C=0.7ms ,, low=0.695Ra*C=0.23ms
실험치 : Hi=0.6ms low=0.26ms
1. 2)-3 이론치 : T=0.695(R+2R)C ,, T=0.93mHz ,, 실험치 : 0.925mHz
1. 2)-4 이론치 : D===75% ,, 실험치 : 80%
1. 3) 다이오드 삽입 h와 L를 컨트롤 R R를 가
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이론적 결과는 현실적으로는 불가능하기 때문에 오차가 생긴 것이다.
4-2 실험결과에 관한 고찰
이번 중첩의 원리를 알아보는 실험은 이전의 테브난의 정리에 사용되었던 무려 5개의 저항보다 2개 적은, 3개의 저항만을 이용하여 회로를 구성
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이론값은 거의 차이가 없음을 확인하였다.
※저항의 직렬연결 : 한 마디에 2개의 소자를 연결할 때 이를 직렬이라고 한다. 직렬연결된 회로 소자들은 같은 전류를 운반한다.
그림에서 키르히호프의 법칙을 적용하면
is=i1=-i2=i3=i4=-i5=-i6=-i7
이
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이론과 실제의 차이를 경험할 수 있었다. 다양한 상황에서의 진리표를 분석하고, 시뮬레이터를 활용하여 회로의 동작을 확인함으로써 디지털 회로 설계에서 중요한 주의사항과 문제 해결 방법에 대한 감각을 키울 수 있었다. 또한, 논리 회로
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