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실험하여도 오실로스코프상에 표시되어지는 점의 위치만 바뀔뿐 결과는 동일하다.
5. 함수발생기의 OFFSET control를 조절하여 offset voltage가 0이 되도록한다. 오실로스코프의 민감도를 1 V/㎝ 로 하고, 함수발생기의 출력을 오실로스코프의 수직입
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▲ 시상수
▲ R-L 회로에서 R에 비하여 L이 클수록 시정수가 커지며, 지수적 변화가 서서히 일어난다. 이것은 전류에 대한 L의 관성에 기인한다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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실험 기구 및 시약
쿨롱 법칙 실험장치, 고전압 전압 공급기 (DC 0~15 kV, AC 6.3 V ), 고전압 연결선
5. 참고 문헌
① 일반 물리학 개정 6판, 범한서적주식회사 halliday외 2명 등 저
고려대국민대단국대외 3학교 공역 pp. 348-350
② www.sgs.co.kr/segye/technote/
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실험을 원한다면 일정한 온도인 환경에서 실험을 하고, 일정한 온도인 곳에서 온도를 높이거나 낮게 하여 실험을 해야한다.
* 참고 문헌
- 전기전자 기초 / 기전연구사 / 지일구, 오창록 공저 / 2011년 / p.332
- 인천대물리학과교수 공역 / 일반 물
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오실로스코프에는 1:1 프로브를 두고 사용할 경우에는 프로브가 갖는 임피던스가 1MΩ//150pF정도 된다고 한다. 이것처럼 회로를 완성한 후에는 각각의 소자에 대한 저항이 포함되어 약간의 차이가 발생하는 것 같다.
e. 교류전압측정회로 실험
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측정하여 보았다.
1. 방법
수면에서 자유 진동하는 부체의 주기(T)=수면에서 용수철에 매달린 부체의 진동주기()로 하고 공기 중에서 용수철에 매달린 부체의 진동 주기()와 비교하여 부가 질량(ma)을 구한다.
2. 실험 절차
(1) 질량 m인 부체를 수
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46
4
6V
0.2 mA
2.2k
2.1k
10
11
22k
21.8k
0.54
0.0024
5.07
5.75
공급
전원
전류
R1
R2
R3
R4
저항값
측정값
저항값
측정값
저항값
측정값
저항값
측정값
1
4.5V
6.54 mA
220
215
390
384
100
90.4
220
215
2
3V
3.75 mA
100
99.4
220
215
390
384
100
99.4
3
2.5V
2.68 mA
220
215
390
384
100
99.4
220
215
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실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관
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1991.2
2. 전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지털전자회로, 김기남 저, 네트웍텔레콤 정보기술원, 1998.2
5. 집적회로, 이영훈 저, 상학당, 2002.9
6. 전자회로, 최성재외 공저, 상학당,
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때문인 것으로 추측된다.
3. 등가회로
1) 1/4W 짜리 저항 4개(1㏀에서 10㏀사이)를 골라서 각각 R1, R2, R3, R4라 하고, multimeter를 사용하여 각 저항값을 측정한다.
측 정 치
저항값
오 차
1
2
3
4
5
평 균
R1
1.002
1.002
1.002
1.001
1.002
1.002
1.0㏀
0.002
R2
3.870
3.87
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