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후막(厚膜) IC : 인쇄법으로 제조
Ⅵ. 전자공학과 증폭기
1. 증폭기
2. 분압기
3. 여러 가지 전자 소자들
4. 스위치
5. 서미스터
6. LDR(광저항)
7. 마이크로폰
8. 발광다이오드
9. 확성기
10. 릴레이
Ⅶ. 전자공학과 제어시스템
참고문헌
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실험순서 10(교통 신호등 제어길 위한 10KHz 발진 회로)
그럼 18-2 회로를 수정하여 주파수를 10kHz로 발진시킨후 회로를 보고서에 그려 넣는다.
결과 및 결론
실험 결과, 74121 원샷 회로와 555 타이머를 활용하여 특정 펄스 생성, 듀티 사이클 및 주
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. 1. 사전 지식
1.1.Response Time
1.2.전압 비교기(Valtage Comparator)
1.3.Pulse-Width Modulation
1.4. 슈미트 트리거(Schmitt-trigger) :입력에 대한 입력 전압과 출력 전압의 관계 그래프
2. 시뮬레이션 요약
3. 실험 절차
4. 문제
5. 분석 및 토의
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실험 목적
2. 실험 순서
3. 이론적 배경
1) JFET (junction field effect transistor) - 접합 전기장 효과 트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
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.(공핍층 증가)
다이오드의 저항값이 증가하므로 전류는 거의 흐르지 않는다.
순방향으로 전압을 가할 때와 역방향으로 전압을 가할 때 나타나는 다이오드의 그래프를
나타내면 다음과 같다. 1. 목적
2. 원리
3. 결과 및 분석
4. 토의
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다이오드(1N4002)
1개
NPN 트랜지스터
2개
4. 실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
6. Time = 850 ㎲
Volts/cm = 15.02 , Time/cm = 5cm
9. Time = 95 ㎲(
10. 가. 100kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 1000 ㎲
나. 10kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 100 ㎲
14. Time = 1520 ㎲
16. Time = 19
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실험 방법 및 결과
-실험 방법
⑴Table 1에 표시된 각 시편들을 용융온도보다 약 70˚C 이상의 온도까지 가열한다.
⑵Chromel-Alumel 열전대를 보호관을 씌워 용융금속중에 담근다.
⑶냉각속도가 5˚C/min 이 되도록 온도를 조절한다.
⑷용융시편의 온도
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바꾸면 구형파의 수직축이 보이게 된다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 문턱 전압
(2) 병렬 클리퍼
(3) 병렬 클리퍼 (계속)
(4) 병렬 클리퍼 (정현파 입력)
(5) 직렬 클리퍼 (정현파 입력)
5. 결론 및 고찰
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ⅱ. 참고문헌 ------------------------------------------------------------8
표, 그래프, 그림 및 사진
◎그림 1 CUBLOC LCD 화면
◎그림 2 CUBLOC 키트
◎그림 3 트랜지스터
◎그림 4 트랜지스터의 원리
◎그림 5 색에 따른 저항값의 변화
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회로의 동작 특성을 정확하게 이해하는 데 중요한 과제로, 정밀한 측정과 반복적 검증이 필요하다. 1. 실험 개요
1.1 h 파라미터의 이론적 배경
1.2 h 파라미터 측정 방법
2. 실험 절차
2.1 hie와 hfe의 측정 과정
2.2 hre와 hoe의 측정 과정
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