|
전압까지는 아주 작은 전류가 흐르게 되는데 일정 전압 이상이 되면 다이오드가 파괴되는데 이것을 눈사태항복이라고 부른다.
4) 다이오드의 특성
다음의 곡선이 다이오드의 특성을 보여준다. 순방향바이어스 일때는 이 되고, 역방향일때는,
|
|
|
다이오드에서 소비되는 전력은 다음과 같은 식으로 구하여진다.
그리고 이것은 디바이스에서 규정된 PZM보다 작아야만 한다.
( 참고 : PZM이란? 여기서 사용되는 제너다이오드의 최대 소비 전력치 이다.)
§실험 시뮬레이션
1. 접합 다이오드
2.
|
|
|
Emitter보다 농도가 작게 도핑 되어 실제 시판 되고 있다.
BJT 구조에서 Emitter와 Collector는 같은 물질의 반도체로 구성되어 있으나 그 부피나 농도는 다르게 제작 되어진다.
3. 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 시뮬레이션 결과
|
|
|
다이오드 양단 VOUT
다이오드 방향바꿔 VOUT
5. 클램프 구형파
회로 그림 3-18(b)
입력파형
VBIAS 4V 입력파형
VBIAS 4V 후 VOUT
VBIAS -4V 후 VOUT
클램퍼 회로는 커패시터를 이용하여 전압을 저장하므로 교류 신호에 DC offset 만큼 더하거나 빼주어 출력되는
|
|
|
전압분배 바이어스는 값을 확실하게 잡아주지 못하지만 2전원 바이어스 회로는 를 그라운드에 접지시키기 때문에 더욱 값을 잘 잡아준다. 그렇기 때문에 2전원 바이어스 회로가 더 안정하다.
※ 종합 검토 및 논의
이번 실험은 회로의 드레인
|
|
|
특성을 구분하는 것이 어려웠는데 실험으로 이해하니 더 쉬웠다. 또 R 성분이 없는 LC회로에서 공진 주파수일 때 C의 전압이 최대가 된다는 사실도 확인하였다.
전체적으로 파형은 잘 나왔으나 값들이 만족스럽지 못했다. 다음 실험에서는 더
|
|
|
1. 실험 과정 및 결과
◎ 사용한 기자재 및 부품 : DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 2n7000(NMOS) 1개, 10kohm 저항 1개, 100 ohm 저항 1개, 브레드보드, 전선 등.
(1) Vsig 전압을 6V, RD 저항을 100Ω으로 고정하고, VDD를 0V, 3V, 6V, 9V, 12V로 변화시키면서
|
|
|
실험 종합
논리회로 실험을 위한 기본BASIC GATE에 대한 특성을 연구해 봤다. 각 GATE별로 BOOL공식과 출력 값을 비교해 보면서 이론과 현실의 관련성을 판단해 볼 수 있었다. 거대한 SYSTEM을 구성하는 하나의 소자인 IC 분석을 통하여. IC 별 특성과,
|
|
|
경우, 영위조정이 동작하지 않을 때는, 내장된 전지가 소모되어 있을 가능성이 있으므로 , 전지를 바꿀 필요가 있다. 또한 테스터의 사용후에는 반드시 OFF의 상태로 해 둬야한다.) 실험 목적
실험 기구
원리 및 이론
♣측정 방법
|
|
|
전압을 구한다.
- I-V 그래프를 작성한다.
- 전류 값은 20~1280까지 20씩 증가하도록 값을 정의한다.
7) 아래의 성능식을 이용하여 실험에서 얻어진 전류 전압곡선을 Fitting 하시오.
EMF : 1.0 V
은 실험에서 결정된 한계전류(Limiting current)로 설정하시오
|
|
메뉴펼치기
