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9-3]에 기록하시오.
- 예비 보고서 때와는 다르게 RD 저항을 short 시키지 않고 100ohm의 값을 주어서 실험을 진행하였다. 다음의 회로는 브레드 보드에 구성한 본 실험의 회로도의 모습이다. 1. 실험 과정 및 결과
2. 실험 결론 및 분석●고찰
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크기 이상의 전압을 인가했을 때 출력에서 클리핑 현상이 발생하는 것을 알아보는 실험이다. 시뮬레이션과 비슷한 값으로서 약 100mV의 파형을 인가했을 때, 클리핑 현상이 발생했다는 것을 확인할 수 있다. 1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰
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실험방법 및 순서 62
5. Simulation 65
6. 실험 결과 67
실험 7. Op-Amp 기본 회로 69
1. 실험 목적 69
2. 기초이론 69
3. 예비 보고서 74
4. 실험기자재 및 부품 76
5. 실험방법 및 순서 76
6. Simulation 78
7. 실험 결과 85
실험 8. Op-Amp 특성 측
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MOSFET의 문턱전압 이 된다.
실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 <그림 8.3>과 같다.
회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 3.5679kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 3.75V이다.
- 문턱전압
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실험 결과 ……………………………………… 67
실험 6. Op-Amp 기본 회로 ……………………………………… 69
1. 실험 목적 ……………………………………… 69
2. 기초이론 ……………………………………… 69
3. 예비 보고서 …………
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