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1.정류 다이오드: 교류를 직류로 변환할 때 응용
2.스위칭 다이오드: 고속on/off특성을 스위칭에 응용 3
.정전압(제너)다이오드: 정전압 특성을 전압 안정화에 응용
4.가변용량 다이오드: 가변 용량 특성을 FM변조 AFC동조에 응용
5.터널(
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,2008,pp113~120
네이버 블로그,“기준전극에는 어떤 것들이 있나?”,atfrontier
네이버 지식백과,(시약 및 기구)
캠브리지대학 홈페이지(이론),http://www.cheng.cam.ac.uk/ *실험제목
*실험목적
*이론
*시약 및 기구
*실험방법
*참고문헌
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전압이다. , 와 전압도 측정하여 기록한다.
⑦ {표 2}에 계산값을 기록하고 실험에서 얻은 값과 비교한다.
⑧ 전압을 20로 하고 과정 ⑥, ⑦을 반복한다. 전류 및 전압 측정
목적
이론
1.전류계 연결법
2.전압계 연결법
3.전기분압기
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전압이 어떤값에 도달할 때까지는 오프를 유지하고 있다가 그 다
음에 온(on)되어 도통 상태가 된다. 도통 상태는 특정값 이하로 전류가 감소할 때까지 계속된다.
바렉터 다이오드
기호 바렉터 다이오드 특성
전압에 의존하는 가변 커패시터이
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실험 11.3 바이어스의 안정을 위해 에미터 저항 RE가 추가된 회로를 설계 및 실습 한다 (그림 9)
(1) 이번 경우에는 같은 IC=0.5㎃를 얻기 위해서는 VB전압이 실험 11.2의경우보다 IERE만큼 다음 식과 같이 높아진다. VBE값은 앞의 실험 11.2에서구한값을
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light를 만들려고 한다. 414nm blue, 525nm green, 650nm Red를 만들기 위하여 필요한 화합물반도체 재료와 각각의 를 조사하시오
InGaN, AllnGaP, AlGaAs
414nm blue ;
525nm green ;
650nm Red ; 1.서론
2.실험
3.계산 및 결과
4. 결과분석 및 검토
5. 참고문헌
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모양이 나왔다.
4. 레퍼런스
- 신회로이론 / 박송배 / 문운당 / p235 ∼ p249
- 회로이론(6th Edition) / William H.Hayt, Jr / Mc Graw Hill / p. 276 ∼ 278
- 회로이론 / James W.Nilsson / 한티미디어 / p.620∼621 1. 관련이론
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
4. 레퍼런스
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실험 종합
이번 실험은 CMOS 회로의 전기적 특성을 알아보는 시간이었다. 3년 만에 만지는 오실로스코프에 긴장하기도 하였지만, 예비보고서를 준비할 때 오실로스코프에 대한 조사를 하고가니 한결 쉽게 해결 할 수 있었다. 실험1번에서 미세
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다이오드(Schottky Diode)
금속과 반도체 사이의 접합면에 전위장벽을 형성하므로 스위칭 속도는 오직 접합 용량에만 기인한다. 상대적으로 낮은 전압에서 도통하지만 누설전류가 크므로 고전류 저전압 전원에 이상적으로 상용된다. 다이
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1. 실험 측정치
(1) 순방향 바이어스 다이오드 특성
R= 1kΩ을 사용하여 측정한 V_D로 구한 I_D는 다음과 같다.
실험을 진행하면서 찍은 몇 개의 사진을 아래에 첨부하였다.
{V_R이 0.2V일 때 V_D} {V_R이 0.4V일 때 V_D} {V_R이 0.8V일 때
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