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실험목적
2. 실험결과
1) 실험 1 : 파형발생기에서 나온 출력, 트랜스포머를 거친 증폭된 파형
2) 실험 2 : 브릿지 다이오드를 거친 정류된 파형
3) 실험 3 : 직류가 된 파형
4) 실험 4 : 제너 다이오드
3. 고 찰
4. 느낀 점 및 잘못된 점
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특성을 살릴 수 있는 새로운 시장 개척이 기대되고 있음
정부 또한 OLED의 성장 가능성과 친환경성을 인정해 핵심기술 개발을 위한 예산을 따로 책정하여 산업 표준 책정과 인프라 구축에 지원을 아끼지 않고 있음 1. OLED의 정의 및 특성
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진행되고 있다.
OLED의 수명에 미치는 흡습제의 영향(사진: 85℃에서 500시간 동안 보관 후 측정) 유기발광다이오드(Organic Lighting Emitting Diode)의 개요
유기발광다이오드의 구조
유기발광다이오드의 발광 메카니즘
OLED 소자 제작 공정
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실험을 통해 다이오드의 기본적인 성질, 각 바이어스에서 전압 전류 특성, 극성 구분 등을 배웠다. 다이오드는 앞으로 공부하는데 있어서 정말 중요하고 기본적인 반도체 소자이다. 처음 배울 때 확실하게 배워서 다음에 또 사용할 때 잘 응
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부하저항 R에서의 전류방향은 일정하기 때문에 그림에서 출력전압은 전파정류가 되고 출력파형의 주파수는 입력파형의 2배가 됨을 알 수 있었다. 26. 다이오드 정류회로
1. 실험목적
2. 관련사항 및 이론
결과값
결과 및 토의
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Ⅱ. 논리게이트와 기본논리게이트
Ⅲ. 논리게이트와 다이오드논리게이트
Ⅳ. 논리게이트와 트랜지스터논리게이트
1. 부정회로(NOT)
2. NAND 회로
3. NOR회로
Ⅴ. 논리게이트와 게이트구현
Ⅵ. 논리게이트와 범용게이트
참고문헌
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전압의 극성에 관계없이, 전압의 크기만에 의해
저항이 정해지는 대칭형 바리스터와 가해지는 전압의
극성에 의해서 달라지는 비대칭형 바리스터가 있음
③ 비대칭형 바리스터는 셀렌, 게르마늄, 실리콘 등의 반도체
다이오드가 유용되며,
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다이오드를 이용하여 만드는데 여기서도 여파기가 이용이 된다. 그러므로 우선 여파기가 우선적으로 필요하다.
(4) 고역통과 여파기 실험에서 초크를 연결하지 않았을 때와 연결하였을 때의 주파수 특성 곡선 (주파수 변화에 대한 출력전압)
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실험절차 4에서의 시상수는 R-C 회로이고 저항값 R과 커패시터 용량 C 이 세가지 요소에 의해서 결정되어 진다.
5. 커패시터 양단의 전압은 커패시터에 축적된 전하량에 관계된다. 만일, 전압이 Δv 만큼 변하면 전하량도 따라서 다음과 같이 변
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(7) θ1 의 값이 구해지면 식 6-9에 의해 필요한 capacitor의 값 C 가 구해진다.
(8) θ1 과 θ2 의 값과 Idc로부터 식 6-17에 의해 rms 전류 I 를 구해 transformer 및 rectifier의 용량을 결정한다. 1. 설계 목표
2. 설계 내용
3. 연구과제
4. 참고이론
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