|
실험이다. 1학기 때 배웠던 디지털 공학의 논리게이트를 이용하는 실험인데, NAND게이트의 출력전압을 측정하였는데 NAND게이트의 특성답게 입력값이 모두 HIGH일때만 LOW값이 출력되는 결과가 나왔다. 또한 NOR게이트도 입력값이 하나라도 HIGH가
|
|
|
전압을 측정하는 단계에서 실험자의 시각으로 시간을 측정하면서 오차가 발생하였다. 정확한 시간의 측정이 불가능하였기에 오차가 발생되었다.
두 번째로 회로 및 부품 자체의 오차를 들 수 있을 것이다. 회로내의 자체의 저항과 실험에 사
|
|
|
전압을 측정하여 주파
수에 관한 그래프를 얻으면 주파수 특성을 구할 수 있다.
3) Q와 주파수 폭
아래 그림은 직렬 공진 회로의 주파수 특성 그래프이다. 곡선에는 세 개의 중요한
점이 나타나 있다. 이 는 공진 주파수 와 및 이다. 과 는 곡선
|
|
|
전압은 곧 전원 전압의 크기로 슬라이스하게 된다(이것을 출력 포화되었다고 한다). 1. 목적
2. 이론
3. 예비레포트
- Op-Amp 란?
- 반전 증폭기 & 비반전 증폭기
- Function Generator의 기능 및 사용법
4. 결과레포트
- 실험 및 실험방법(직접
|
|
|
실험 설계
━━━━━━━━━
(유전체 박막의 두께 및 열처리 온도 설계)
소 속
재료공학부
담당교수
손영국교수님
학 년
3학년
분반 / 조
004분반 4조
학 번
/
성 명
200423156 유정우
■ 누설전류의 측정값이 최소화되는 유전체 박막의 두께 및
|
|
|
전압값 계산
두 번째 단계 : 전류원만 있다고 가정하고 계산
전체 합성저항 RP를 구한다.
각 저항에 흐르는 전류 값을 구한다.
각 저항에 흐르는 전압 계산
첫 번째 단계와 두 번째 단계의 중첩의 정리 계산
실험시의 특이사항 및 실험에 대한
|
|
|
전압을 높였을 경우와 내렸을 경우, 그 변화를 통해 이를 알 수 있다. 1.실험결과
(1)측정 1
(2)측정 2 : 히터 전압을 높였을 때
(3)측정 3 : 역전압을 올렸을 때
(4)측정 4 : 역전압을 내렸을 때
2.결론 및 토의
3.질문
(1)이 실험이 어
|
|
|
[네이버 지식백과] 주사전자현미경 [Scanning Electron Microscope] (두산백과) 1. 과제의 배경
2. 실험목적
3. 관련 이론 및 배경지식
4. 실험기구 및 장치
5. 실험 방법
6. 결과 예측
7. 실험결과
8. 결과분석
9. 참고문헌
|
|
|
실험을 하기 때문에도 있겠지만, 열전대의 타입이 실제 사용되는 범위에 비하여 상당히 적은 온도 범위에서 열전대의 특성을 나타내는 식을 찾기란 매우 무리수라고 본다. 만일 더 넓은 온도 범위에서 실험을 하였다면, 적절한 보간 및 외삽
|
|
|
전류가 남아있는 정도를 측정하는 것으로써 이 잔류전류가 작아야 좋은 액정이라 할 수 있다. 1. TFT-LCD 제조기술
2. TFT-Array 공정
3. Color Filter 제조공정
4. 액정 Cell 공정
5. TFT-LCD 부품 및 소재 기술
6. TFT(Thin Fim Trasistor)의 특성
|
|
메뉴펼치기
