|
kΩ
{I}_{C}
, mA
{V}_{CE}
{R}_{2}
, kΩ
{I}_{C}
, mA
{V}_{CE}
2.084
2.503
0.011
7.536
0.056
2.545
0.012
7.960
0.232
2.881
0.013
8.184
0.338
4.839
0.019
8.184
0.406
6.144
0.028
8.192
0.455
7.003
0.040
0.002
8.195
0.519
가변저항
{R}_{2}
을 변화시키면서
{I}_{C}
의 변화를 관찰하여 본 결과 다음
|
|
|
트랜지스터의 동작특성을 나타낸다.
1) 콜렉터 곡선: 콜렉터 전류
I_C
, 베이스 전류
I_B
및
V_CE
의 관계 곡선
2) 베이스 곡선:
I_B
와
V_BE
사이의 관계를 나타내는 곡선
3) 베타 곡선:
beta
, 온도 및
I_C
사이의 관계를 나타내는 곡선이다. ■
|
|
|
BJT 소자에 대한 특성분석
1) Maximum ratings
2) THERMAL CHARACTERISTICS
3) ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4) Small-Signal Characteristics
3. 이론적인 설계과정
1) 제약조건
2) 기본적인 회로 소자
3) 설계과정
(1) 직류해석
(2) 교류 해석
4. CAD 도구(OrCA
|
|
|
BJT 또는 FET을 사용 한다.
연산 증폭기나 Emitter coupled 논리 게이트의 입력단에 주로 쓰인다.
(2) Current mirror란 전류 소스를 공급한다. 전류미러는 왼쪽 트랜지스터에 흐른 전류가 오른쪽 트랜지스터에도 동일하게 흐르게 구성된 회로로 컬렉터
|
|
|
트랜지스터 Q1과 Q2가 대칭이 되었고, IC1과 IC2가 같게 나왔기 때문에 offset 전류는 0A이다.
E3.2 Signal Operation at Low and High Current Levels
측정:
a) 노드 S, I, H 의 전압을 측정하라.
b) 출력 전압이 포화되기 직전까지 입력전압을 올리고, 이 때 노드 I, H
|
|
 |
트랜지스터의 전류-전압 특성을 설명하시오.
□ 반도체의 도핑 과정과 그 효과에 대해 설명하시오.
4. 디지털 논리 회로 (Digital Logic Circuits)
□ 기본 논리 게이트(AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR, XNOR)의 진리표를 작성하시오.
□ 플립플롭(flip-flop)의 종
|
|
메뉴펼치기
