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전문지식 105건

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  • 등록일 2014.01.16
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Diode) 금속과 반도체 사이의 접합면에 전위장벽을 형성하므로 스위칭 속도는 오직 접합 용량에만 기인한다. 상대적으로 낮은 전압에서 도통하지만 누설전류가 크므로 고전류 저전압 전원에 이상적으로 상용된다. 다이오드 예비보고서
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  • 등록일 2010.09.14
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PSPICE 회로 TIME DOMAIN (4) [그림 3]과 같이 두 개의 capacitor를 병렬연결 한 후 (3)의 과정을 반복하시오. 10 0.1 0.1 time constant = 2ms 이론치 0.2 PSPICE 회로 TIME DOMAIN (5) [그림 4]와 같이 [그림 1]의 저항 을 가변저항으로 바꾸어 회로를 결선하시오. 이때 로
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  • 등록일 2020.09.23
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1550nm가 1310nm보다 ‘임계전류가 작고 기울기는 크다’라는 결과 값이 도출 되었다. 또한 위의 I-P 특성곡선의 기울기가 거의 차이가 없어 보이는데 그 이유는 킷트상의 문제로 생각된다. 실험 예비보고서 (Photo-Diode 특성 측정) 없음
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  • 등록일 2013.12.29
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 1. 실험목적 2. 실험이론  1. LC Resonant circuits  2. Diode  3. Rectification  4. Zener Diodes  5. Power-supply filtering(ripple)  6. Signal rectifier(signal diodes)  7. Diode Clamp  8. Diode Limiter 3. 실험방법  3.1 LC Resonant Circuit  3.2 Half-wave Rectifier
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  • 등록일 2012.11.29
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