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없음
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Diode)
금속과 반도체 사이의 접합면에 전위장벽을 형성하므로 스위칭 속도는 오직 접합 용량에만 기인한다. 상대적으로 낮은 전압에서 도통하지만 누설전류가 크므로 고전류 저전압 전원에 이상적으로 상용된다. 다이오드 예비보고서
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PSPICE 회로
TIME DOMAIN
(4) [그림 3]과 같이 두 개의 capacitor를 병렬연결 한 후 (3)의 과정을 반복하시오.
10 0.1 0.1 time constant = 2ms 이론치 0.2
PSPICE 회로
TIME DOMAIN
(5) [그림 4]와 같이 [그림 1]의 저항 을 가변저항으로 바꾸어 회로를 결선하시오. 이때 로
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1550nm가 1310nm보다 ‘임계전류가 작고 기울기는 크다’라는 결과 값이 도출 되었다. 또한 위의 I-P 특성곡선의 기울기가 거의 차이가 없어 보이는데 그 이유는 킷트상의 문제로 생각된다.
실험 예비보고서
(Photo-Diode 특성 측정) 없음
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1. 실험목적
2. 실험이론
1. LC Resonant circuits
2. Diode
3. Rectification
4. Zener Diodes
5. Power-supply filtering(ripple)
6. Signal rectifier(signal diodes)
7. Diode Clamp
8. Diode Limiter
3. 실험방법
3.1 LC Resonant Circuit
3.2 Half-wave Rectifier
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