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TFT소자에도 advanced된 성능과 저가격의 소자가 요구되었다. 그 중 Oxide와 Organic 반도체가 가장 주목 받고 있다. Oxide TFT를 만들 수 있는 여러 가지가 있는데, 그 중에 IGZO라는 물질이 지금까지 특성이 가장 좋다. 9주차에 amorphous silicon와 poly silicon
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IGZO 등 TFT에 사용되는 재료의 물성 변화와 그에 따른 전기적 특성 차이를 실험을 통해 관찰하였습니다. 이를 통해 공정의 정밀 제어가 소자 특성에 미치는 영향을 체감하였고, 계측 공정의 정확도가 불량률에 직결된다는 사실도 실감하게 되
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IGZO의 등장과 같은 layer의 물성의 발달 과정과, 그 발달 과정에 따른 반도체의 특성 차이를 공부하며 반도체 공정에 분야에서 일하겠다는 결심을 하였습니다.
물론 현업에서 필요한 역량은 대학교 학부생으로서 완벽히 갖추기는 힘들겠지만,
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