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GaN 결정 내에서 응력의 영향을 받아 위와 같은 결과가 나온 것으로 판단된다.
라. 결 론
이 실험에서 최적의 GaN성장 조건은 온도가 1050˚c HCl유량이 10sccm으로 나타났다.
6) LED 구조
P-GaN
=>P형
In0.20Ga0.80N
=>활성층
N-GaN
=>N형
GaN
=>기판
<
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GaN HEMTs transistor don’t need doping to obtain a high electron density.
4. Contacts
- Source / Drain : Ohmic contact, Carrier could move free Metal ↔ Semiconductor.
- Gate : Schottky contact, controlled transistor to turn on / off.
5. Summary 1. What’s HEMT?
2. 2DEG
3. Polarizat
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LED : 무기물(다이오드 소자 자체 발광) → 이러한 문제점 해결
OLED 대비 우위 → 밝기, 해상도
Micro LED 디스플레이 :
- 기존 LCD에 비해 명암비가 크고, 반응속도와 시야 각 측면에서 유리
- GaN 계열의 청색 LED의 외부양자
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GaN LED 단면도
- 플립칩 구조를 통해서 GaN LED의 특성이 많이 향상되었다고 할지라도 궁극적으로 GaN LED는 <그림. 9>과 같이 수직구조 형태를 띠는 것이 바람직함.
- 이러한 수직구조 LED는 기존의 수평구조 LED나 플립칩 LED와 비교하였을 때, 여
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Phase Epitaxy(기상증착법)
결정재료가 포함된 반응가스를 기판위로 흘리면서 열에 의한 분해와 반응을 통해 결정을 성장
→ 반응가스의 형태에 따라 HVPE, MOVPE 등으로 분류 1. 발광 다이오드
2. LED fabrication
3. LED package
4. LED 적용분야
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GaN를 이용한 백색LED 램프 개발이 본격적으로 이루어지고 있다. 그러나 근본적인 고품위 반도체 재료로부터 LED 구현 시 광도, 색 온도, 색 연색 평가지수 등 고품위 성능지수 확보까지 아직도 백색 LED가 조명기기에 사용되기까지는 해결해야
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