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세계 LED 조명기술을 선도할 수 있는 위치를 차지할 수 있을 것이다. - 서론 -
- 본론 -
1. LED란?
- LED의 구조
- LED의 동작 원리
2. LED의 특징
3. LED제조 공정
4. LED의 종류
5. 국가별 LED 개발 현황
6. 장래의 LED 시장 동향
- 결론 -
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LED 시장과 비슷한 규모를 형성할 것으로 예측되고 있다. 1. 서론
2.조명 기구와 동작 원리
1.백열등
2.형광등
3.LED
3.기존 조명과 LED 조명의 특징 비교
4. LED의 기본 구조
5. LED 부분별 명칭
6. LED의 발전
7.응용 분야
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LED조명이 세상을 밝힌다, 2005.
9. 한철종, LED 고효율 고신뢰성 기술, 전자부품연구원, 2008.
10. 황성민, LED 기술 개요 및 시장동향, 『전자부품 연구원』, 2008. I. 들어가며
II. 본문
1. LED란?
2. LED의 특성
3. LED의 구조
4. LED의 재료
5. LED 조
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론 2
2-1. LED의 기본개념 2
2-2. LED의 동작원리 3
2-3. LED의 장단점 5
Ⅲ. 결론 및 고찰 6
참고문헌 7
그 림 목 차
<그림 1> 파장에 따른 빛의 색깔
<그림 2> LED의 PN 접합에 의한 발광 개념도
<그림 3> 전형적인 LED의 구조
<그림 4> LED 기본 원리
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2) Terminal characteristics of a high-voltage diode.
FIGURE 1-36 (part 2 of 3) Terminal characteristics of a high-voltage diode.
전이/확산 캐패시턴스
역방향회복시간
반도체 다이오드의 기호
제너(Zener)다이오드
발광다이오드 (LED : Light Emitting Diode)
기타 다이오드
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LED조명으로 대체 될 것이다.
LED를 수십 개 또는 수백 개를 나열해 신호등으로 사용할 수 있는데 이는 기존의 신호등이 백열전구를 사용하는데 비해 전력 소모량을 1/10로 줄일 수 있어 365일, 24시간 가동되는 신호등의 전력을 절감할 수 있으며,
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LED 구조
P-GaN
=>P형
In0.20Ga0.80N
=>활성층
N-GaN
=>N형
GaN
=>기판
<그림 6-9> LED 소자 구조
가. GaN 기판 제작
다공성 GaN 성장을 통한 경제적인 GaN 기판 제작
나. N-GaN Cladding Layer 성장
Ga-Si 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 N-GaN Cladding Layer 성장
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LED : Light Emitting Diode
발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)
pn접합 또는 이중이종접합구조
(double hetero junction)로
이루어진 반도체 소자
LED 구조
표면발광형 LED(Surface-emitting LED : SLED)
단면발광형 LED(Edge-emitting LED : ELED)
Charact
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구조
<그림.9> 수직구조 GaN LED 단면도
- 플립칩 구조를 통해서 GaN LED의 특성이 많이 향상되었다고 할지라도 궁극적으로 GaN LED는 <그림. 9>과 같이 수직구조 형태를 띠는 것이 바람직함.
- 이러한 수직구조 LED는 기존의 수평구조 LED나 플
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LED : 일반 다이오드와 같이 극성을 갖으며 음극에 대하여 양극에 정전압을 가하여 사용. 적외선에 민감한 문화재 예술작품과 열조사가 불필요한 조명에 사용. 구조가 간단해 대량생산이 가능하여 싼값. 전구와 달리 필라멘트를 사용하지 않
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