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0.167
0.190
0.209
0.232
0.243
0.192
전체 K 값의 평균 : 0.202
B. NMOS의 I-V 특성 곡선
- VGS = 5V
- VGS = 7V
위의 결과와 ,
식을 통해서 각각의 파라미터들을
구할 수 있고 그 결과는 다음과 같다.
VGS = 5V
0.01293
1.131222
VGS = 7V
0.007075
1.039501
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NMOS의 전류-전압 특성이었다. Vgs는 고정시키고 Vds를 바꿔가면서 그에 따른 Id 값이 어떻게 나오는지를 관찰하는 것이 목표였다. Vgs를 5V로 고정하였으므로 이론과 소자의 datasheet 대로라면 2V에서 약 0.7A의 전류값을 갖으며 saturation 됨을 알 수
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MOSFET은 오른쪽 식과 같이 VGS에 의해서 제어되는 이상적인 전류원처럼 동작할 것이다.
모의실험
① Vt 측정
시뮬레이션 예측에 따르면 ID 값이 상승하기 시작하는 Vt는 1.6V 근방이었다.
② NMOS의 I-V 특성 곡선
<VGS = 5V 일 때의 ID 곡선>
<VGS =
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사용하여 우회 커패시터가 접속된 공통 소스 증폭기 회로파일을 작성하고 주파수 10kHz에 대해 해석을 수행하라.
*** Common Source Amplifier ***
M153662N7000
.options defw=1 defl=1
.model 2N7000 nmos level=1
+ vto=kp=lambda=
+ cgso=20pcgdo=8pcbs=56pcbd=56p
.end 없음
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MOSFET
P-채널 MOSFET에 대해 <그림 8.4>와 같이 회로를 구성한다. PMOS의 게이트에는 음의 전압이 인가되기 때문에 회로에 연결된 전압공급기(또는 함수발생기)와 DMM의 구성과 극성을 다시 확인하시오.
NMOS와 마찬가지 방법으로 =5[V] 전압에서
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