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갖고 있다.
◇ 차세대 반도체의 동작원리
P램은 이름에서 알 수 있듯이 물질의 상태가 변하는 것을 이용해 데이터를 저장하는 방식으로 `결정' 또는 `비결정' 상태에 따라 `0'과 `1'을 표시한다. 이런 성질을 갖는 셀 물질에는 `게르마늄 안티몬
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P램의 기능을 결합하는 새로운 형태의 차세대 반도체 개발의 가능성을 열어놓은 셈이다.
11. 차세대 메모리 개발경쟁(국내외)
현재 차세대 메모리로 일컬어지면서도 상용화돼 사용되고 있는 메모리는 F램이다. 지난 1995년 미국의 램트론사가 64
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P램의 기능을 결합하는 새로운 형태의 차세대 반도체 개발의 가능성을 열어놓은 셈이다.
11. 차세대 메모리 개발경쟁(국내외)
현재 차세대 메모리로 일컬어지면서도 상용화돼 사용되고 있는 메모리는 F램이다. 지난 1995년 미국의 램트론사가 64
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P램을 개발해 내 PRAM 분야의 기술개발 속도를 실감케 했다.
2. FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM은 강유전체라는 물질의 성질을 이용하는 메모리 반도체이다. 강유전체란 자연 상태에서 전기편극을 갖고 있는 물질로 전기장을 가하지 않아도 자발적으로
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P램(Phase Change RAM)등을 의미하며, 이들 소자들은 D램이 가진 고속, 고집적도 장점과 플래시멜모리의 비휘발성 장점을 모두 갖춰 장차 모든 종류 메모리를 대체할 것으로 예상되기 때문에 각 기업은 시장선점을 위해 치열한 기술개발경쟁을 벌
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P램등 DRAM과 낸드플래시의 미세화,집적화 한계를 극복하는 차세대 메모리소자와 각 공정의 순서,장비,방법에 대해서 학습하였습니다. 그리고 진공,플라즈마를 사용하는 Dry Etch와 고집적화 etch에 필요한 ALE에 대해 공부할 수 있었습니다. 이러
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