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그리고 다시 Vcc 에 연결해준다. Memory Location 에 저장되어 있는 데이터를 읽기 위해서 Memory Location DCBA를 선택하고 2번 Pin 은 접지시키고 3번 Pin 은 Vcc에 연결해주어서 출력단의 결과로서 데이터를 읽을 수 있다. 데이터 값을 확인 후 2번 3번 Pin을
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1. PCRAM 등장배경
-기존 대표적 메모리의 종류
(1) 휘발성메모리:
(2) 비휘발성 메모리:
- 상변화 메모리의 등장(PCM, PRAM, PCRAM 등)
2. PCRAM(phase-change memory) 이란 무엇인가?
(1) PCRAM의 기본원리
(2) PCRAM의 구조
(3)PCRAM의 동작원리
(4) Pcram
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Random 입력에 따른 출력을 측정한 결과 아래 표와 같은 결과 값이 그대로 나옴을 보고 7489가 각 Address에 해당하는 데이터를 반전 출력함을 알 수 있었다.
A
B
C
Address
Data to be stored
D4D3D2D1
Stored Data(complement) S4S3S2S1
Binary BCDA
0
0000
1111
0000
1
0001
1110
00
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메모리는 크게 RAM과 ROM으로 나뉜다. ROM은 READ ONLY MEMORY의 약자로 말 그대로 읽기 전용 기억장소이다 ROM은 정보가 계속적으로 기억되어(cmos battery) 컴퓨터를 끈 상태에서도 정보유지가 된다. 이에 반해 RAM은 RANDOM ACCESS MEMORY의 약자로 임의접근기
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메모리 6
③ 1980년대: DRAM 6
④ 1990년대: NAND 플래시 메모리 6
⑤ 2000년대: SSD 6
⑥ 2010년대: 3D NAND 플래시 메모리 및 휘발성 메모리 MRAM(Magnetic Random Access Memory) 7
2. 가상현실, 증강현실, 메타버스 등의 응용에 사용하기 위한 입출력 장치 7
(가)
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메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박
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랜덤 포레스트(Random Forest) 및 LSTM(Long Short-Term Memory) 모델을 적용하여 시계열 데이터를 보다 정밀하게 분석하였습니다.
또한, 데이터 노이즈를 줄이기 위해 Feature Engineering을 수행하여 주요 변수만을 선별하고, 경제 지표별 중요도를 분석하여
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