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적분학은 정말로 밀접한 관련이 있음을 알 수 있다.
III. 결론
탐구결과: 오늘 나는 이 보고서에서 키르히호프의 전압법칙과 RL회로의 미분방정식, RC회로의 미분방정식을 통하여 반도체 회로를 구성하는 반도체 소자들에 적용되는 공식을 토
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회로는 다음의 미분방정식으로 표현할 수 있다.
이 때, 를 이용하여 임을 보이시오. (즉, 식 (5.2)가 성립함을 보이시오).
- RC회로의 충전식을 보면 /
/
이를 적분하면
/ /
이므로
- 우선, OP-amp의 출력전압이 에 있다고 가정하자. 그림 5.5의 회로
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회로를 다음회로와
같이 연결한다.
(5) 10 ~ 15V 사이의 전압
을 얻기 위해 Vps를 조절
한다.
(6)스위치를 모두 단락시키고 It, Vps, VL을 측정하여 기록한다.
(7)공식을 이용하여 Pps값과 PL값을 계산하여 기록한다.
4.실험 예비 보고서
(1) 330 저항의 전
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미분회로와 적분회로가 보다 정확한 작동을 할 조건은 각각
이다
이번 실험에서 이론상의 회로에서는 미분회로에의 조건에 상당히 충족을 하였다.
(이론상의 회로에서 ≪1)
(실험상의 회로에서로 1보다 작긴 하지
만 이론 값에서 측정되었던
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1. 적분기
①10KHZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=1.455Vp-p
②4KHZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=3.237Vp-p
③100HZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=10p-p
2. 미분기
①10KHZ
<회로도>
<시뮬레이션>
v0=35mV
②1KHZ
<회로도>
<시뮬레이션&g
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미분 형태이므로 미분기라고한다. RC미분회로에서는 입력 교류 파형은 C를 거쳐 R에 나타날 때 미분 파형으로 나타난다.
RC적분회로
펄스가 높은 레벨(100V)dlf 때 즉 충전 시에는 출력이 직선적으로 증가하고 낮은 레벨(0V)일 때 즉 방전 시에는
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회로 소자인 커패시터와 인덕터와 특성 중 전계 및 자계 에너지 축적에 관한 특성을 파악하고 시상수의 개념을 이해한다.
(2)RC 및 RL 직렬 회로에서 커패시터와 인덕터 소자의 전류, 전압 관계 특성으로부터 미분 및 적분의 원리를 이해하고,
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RC 회로 측정 실험의 3) ~ 7)을 반복한다.
4. 참고문헌
1) Raymond A. Serway 원저, 대학물리교재편찬위원회 옮김 “대학 물리학 Ⅱ” - 개정판 - P.1170, (주) 도서출판 북스힐 (서울, 2007)
2) 홍익대학교 물리교재 편찬위원회 “일반물리실험” - 개정판 -
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데이터로그 보기 화면에서 시작버튼을 클릭하고 실험장치의 충방전 스위치를 충전에 위치한다. 충전곡선이 더 이상 증가하지 않게 되면 다시 충방전 스위치를 방전에 위치한다.
8) 방전이 완료되면 데이터로그 보기 화면의 정지 버튼을 클릭
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회로측정기.
전환스위치에 의하여 간단하게 전기저항, 직류 및 교류의 전압·전류 등 측정
4. 실험 방법
- RC 회로
(1) 책의 그림 2와 같이 회로를 완성하라. 이 때 사각파형 발진기의 진동수는 50㎐에,
그리고 출력 전압을 최대에 두고 오실로스
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