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RL직렬회로의 R 또는 L의 소자에서 63%의 전압이 상승하거나 강하하는데 데 걸리는 시간이 시정수 τ이다. 그런데 이 시정수를 FG 출력의 주기로 하면, 인덕터 초기 전압 0.5V는커녕 0.316V(0.5V의 63%)의 전압이 전압강하되기 전에 FG 출력전압이 0V가
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RL회로에 대한 실험이었다. 이번 실험에서는 오실로스코프에 그림이 잘 나타나지 않아서 조교님께서 임의로 진동수와 타임 디비전 값을 조정하셔서 정확한 그림이 나올 수 있었다. 이번실험도 마찬가지로 첫 번째 실험과 같이 측정하였다. 오
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RL 직렬회로의 위상차
(1) [그림 9-5]의 실험 회로를 구성하라. 저항 , 인덕터 를 사용한다.
(2) 교류전원 V1은 파형발생기를 이용하여 20[KHz], 20Vpp의 정현파를 인가한다.
(3) 오실로스코프로 전압을 측정하여 파형이 화면에 동시에 표시되도록 하라.
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응답
1. 실험 목적
1) RL회로에서 주파수의 변화가 임피던스에 미치는 영향을 조사한다.
2) RC회로에서 주파수의 변화가 임피던스에 미치는 영향을 조사한다.
2. 실험이론
직렬 RL회로의 임피던스 & 전류와 주파수와의 관계
직렬 RL회로에서 임피
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.80
8.83
0.340
795.77
1698.0
∠27.9。
< RL직렬회로 실험값 >
주파수(Hz)
Eo(V)
EL(V)
ER(V)
XL()
Z
실험값
이론값
오차(%)
실험값
이론값
오차(%)
500
10.0
4.40
4.64
5.17
6.80
8.86
23.3
314.16
677.27
∠27.6。
1000
10.0
8.00
7.23
10.6
6.00
6.90
13.0
628.32
868.78
∠46.3。
1500
10.0
10.4
8
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회로를 볼 수 있는데 이 회로들로 여러 전자제품들이 요긴하게 쓰이는 것이다. 반도체의 회로는 트랜지스터, GPU, CPU 등 다양한 부품들로 이루어져 있으며 키르히호프의 전압법칙에 의거하여 이루어져 있다. 다양한 반도체 소자들이 RL회로의
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라고 하며 로 표기한다.
- 참고 자료로 시정수에 비례한 시간 변화에 따른 지수함수 크기 변화표와
의 그래프이다.
(2)RL회로의 과도응답
- 인 순간 스위치를 닫아 인덕터에 전류를 흘리는 RL회로와 그에 따른 저항 양단의 전압변화를 시간에
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7×
1.50×
2.63×
2.59×
83.204
4.09×
1.64×
2.54×
2.47×
82.904
(2) 분석 및 토의
① 같은 전류값에서 RL, RC, RLC 회로의 위상각 를 비교하여라.
=> 0.5 에서의 위상각 를 비교하면 RLC(다른 주파수)>RC>RL>RLC 입니다.
1.00 에서의 위상각 를 비교하면 RLC(다
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회로 이기 때문에 전류는 일정하다 그리고 입력전압 V 는 교류회로 의
Vm over sqrt 2
값을 멀티미터기가 직접 계산해서 측정한 실효값이다.
Vm=18V 이므로 Vrms(실효값)=
18 over sqrt 2
이다. 이때, RC 직렬회로의 Vrms 이 RL,RLC 직렬회로의 실효값보다
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R
C
시정수(이론값)
시정수(측정값)
(a)
1 K
0.1
1 s
1.5 s
(b) 병렬
1 K
0.2
2 s
3 s
(c) 직렬
1 K
0.05
0.5 s
0.6 s
나. RL 회로의 시정수 측정
위의 식에서 는 위의 회로의 시정수(time constant)이며, 일 때 이다.
왼쪽 그림은 v(t)의 파형이다.
입력 신호로 구형파(s
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