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별 Vo/Vi을 보면 이론적인 값보다 0.02~0.05V정도 작게 측정된 것을 확인할 수 있다. 특히 WL/R=1 일 때 즉 차단 주파수일 때 Vo/Vi가 0.65로 측정되어서 이론적인 값인 0.707과 8.07%만큼의 상대오차가 발생하였다. 1. 실험 측정치
2. 결과
3. 고찰
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사용법
실험 12. 신호 발생기의 동작법
실험 13. 계측기의 고급 사용
실험 14. 교류 회로 소자 (인덕터 및 커패시터)의 특성
실험 15. RC, RL, RLC 회로의 임피던스 및 전력 측정
실험 16. RC 및 RL 미적분 회로
실험 17. 직렬 RLC 회로의 주파수 특성
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미적분학은 정말로 밀접한 관련이 있음을 알 수 있다.
III. 결론
탐구결과: 오늘 나는 이 보고서에서 키르히호프의 전압법칙과 RL회로의 미분방정식, RC회로의 미분방정식을 통하여 반도체 회로를 구성하는 반도체 소자들에 적용되는 공식을
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, 출력전압 cos파
3. 분석
RC 직렬 회로에서 R과 C순으로 회로를 꾸미고 10kHz의 10V 전압을 주고 나온 결과 그래프입니다. 이 경우에는 저항 양단에 걸리는 전압이 매우 커서 입력 전압과 거의 같게 됩니다. 그래서 출력 전압인 커패시터 양단의 전
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결과와 비교한다.
(9) R과 L에 걸리는 전압의 위상차 ψ = tan-1()를 계산한다.
◎ R-C 회로
<R-C 회로>
(1) 교류전원으로 함수발생기(전원이 꺼진 상태)를 사용하여 Bread Board에 저항과 코일을 <R-C 회로>그림처럼 연결하여 직렬 R-C 회로를 구성.
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