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전원이 차단되어 있 는 지를 꼭 확인한다.
- 스위치 : 회로에 전원을 실험자의 임의대로 흘려보낼 수 있게 해주는 기구이다.
2> 실험방법 설명 및 유의점
- 먼저 열량계의 물당량을 측정 한 다음에 열량계를 전기회로와 연결. 열의 일당량을
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교류발전기로 이것이 가능하다. 충전이 일어날 때 각 전극에서의 반응은 반대로 진행된다.
차의 시동을 걸 때 전지의 방전
화학에너지 전기에너지
차가 운행 중일 때 전지의 충전
전기에너지 화학에너지
자동차의 납-산 축전지의 정상적 충
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휘스톤 브릿지
＊ 목적
① 브릿지 회로를 이해한다.
② 휘스톤브릿지의 구조와 사용방법을 안다.
③ 저항체의 저항값을 측정한다.
＊ 실험 도구
► 직류전원 공급기, 디지털 멀티미터, 휘스톤 브리지,접촉박스
► 저항 : 100Ω, 150Ω,
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측정값이 오차범위를 넘어설때가 있었는데 이 원인을 당시 측정기계의 사용 미숙 혹은 기계자체의 순간적인 불량이 아니었나 의심한다.
사용미숙은, 측정자의 피부로 회로를 접촉했거나 회로의 선들이 아직 정리되지 않은 실험 도중에 서로
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회로 전압이 0.66V인 경우에 아래의 측정 자료로부터 필팩터를 계산하라
V(volts)
0.10
0.30
0.50
0.55
0.58
0.60
0.62
0.64
0.66
Ic(mA)
1.0
1.0
1.0
0.98
0.95
0.89
0,77
0.51
0.0
Pc(mW)
0.1
0.3
0.5
0.54
0.55
0.53
0.48
0.33
0.0
FF
개회로전압 : 저항이 일 때의 전압 = 0.66V
단락전류 :
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회로 기호 대표적인 전류-전압 특성
- 전력용 스위칭 분야에서 가장 중요한 반도체 소자의 하나
- p-n-p-n접합의 4층 구조 반도체 소자의 총칭
- 역저지 사이리스터, 역도통 사이리스터, 트라이액이 있다.
- 일반적으로는 SCR (Silicon-Controlled Rectifie
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측정에는 디지털 멀티미터를 사용하라.
2. 7486의 XOR 게이트 하나에 대해서도 실험순서 1을 반복하고 결과를 표 5-3에 기록하라.
3. XOR 게이트는 주어진 파형의 선택적 반전을 가능케 하는 매우 유용한 기능을 가지고 있다. 그힘 5-2의 회로를 구성
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회로 각 지점의 논리레벨을 측정하여 기록하라.
10. TTL 논리에서 입력의 개방은 무효상태의 논리레벨을 의미한다. 개방은 무효상태이긴 해도 게
이트의 입력에서 논리 HIGH의 역할을 한다. 여기서 9번 순서를 반복하나 이제는 디지털 멀티미터
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회로도를 완성하고 회로를 구성하라. 측정 결과를 근거로 표 7-3의 두 타이밍 다이어그램을 완성하라. 첫 번째 다이어그램은 B = 0 조건에 해당되고 두 번째는 B = 1 조건에 해당된다.
규칙 11을 보여주는 회로를 설계하라. 보고서 표 7-4에 설계한
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측정하여 표에 기록
한다.
· 스위치K를 off로 하고 B,C 사이에 R₁을 연결한다.
· 스위치K를 on으로 하고 전류 I를 측정하여 이로부터 R₁을 구하고 기록한다.
· 같은 방법으로 R₂, R₃를 구하고 기록한다.
· 1/ Rp = 1/ R₁+ 1/ R₂+1/ R₃에 의하여 Rp
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