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~ 이므로 ### 대입하여~ 정리하면##
R_L= left[ Es over Eo - 1~ right] ×R_E
4. 직렬 회로
* 목 적 : 직렬회로에서 옴의 법칙과 키르히호프의 법칙을 이해한다.
* 관련 이론
키르히호프의 전압법칙
정의: 하나의 폐루우프내의 모든 전압의 합은 0이다.
키르
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~ 이므로 ### 대입하여~ 정리하면##
R_L= left[ Es over Eo - 1~ right] ×R_E
4. 직렬 회로
* 목 적 : 직렬회로에서 옴의 법칙과 키르히호프의 법칙을 이해한다.
* 관련 이론
키르히호프의 전압법칙
정의: 하나의 폐루우프내의 모든 전압의 합은 0이다.
키르
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회로는 직렬회로이므로 회로 전체에서 전류는 동일하다.
(5) 실험 회로의 저항을 330[Ω], 470[Ω], 1.2[Ω]으로 바꾸고, 각 저항에 걸린 전압을 측정하여 표에 기록하라.
(6) 멀티미터를 전류 측정 모드로 설정하고, 전류 I를 측정하여 표에 기록하
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회로에서 캐패시터에 흐르는 전류는 이고, 저항에 흐르는 전류는 이다.
위 회로도 직렬회로이므로,
= 로 된다. 이를 또 정리하면
Vi = Vo+RC로 된다.
이때, VR > Vo의 조건(이는 캐패시터의 리액턴스 값을 저항에 비하여 아주 작게하면 된다.)이 만
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직렬회로 테스트
사진.1 충전시 반감기
사진.2 방전시 반감기
이론값
측정값
오차
이론값
측정값
오차
6.9ms
7.12ms
3.19%
6.9ms
7.04ms
2.03%
R[]=10k =10000 / C[F]=1.00F = /
위의 공식을 생각해서 실험 결과를 분석해보자.
<사진.1>과<사진.2>는 각각
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회로에 흐르는 전류를 측정하여 기록한다.
4. 축전기를 바꾸어 위 실험을 반복한다.
5. 시간 대 전압, 시간 대 전류 그래프를 그린다.
-축전기의 방전과정
1. 실험 1과 같이 축전기를 충전시킨 후 스위치를 열고 실험1과같이 직렬회로를 구성한다
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직렬회로에서 회로에 공급된 전압과 회로 내의 각 소자에 걸리는 전압의 합은 동일하다. 즉, ∑(임의의 폐루프에서 상승 전압) = ∑ (임의의 폐루프에서 하강 전압)
회로에 인가한 전압의 합 = 소자에 걸리는 전압 강하의 합
임의의 폐회로(닫힌
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직렬회로를 구성하여 LPF를 제작하였다. 회로내의 모든 저항값을 합친 실제 R값(저항소자(1120Ω)+FG내부저항(50Ω))은 1170Ω이었고, 실제 커패시터의 값은 11.6nF이었다. 커패시터전압 파형의 크기를 측정한 결과 0.86V로 이론치 0.84V와의 오차는 2.3%이
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직렬회로를 이용하여 스위치 on/off에 따른 충전과 방전 현상에 대해 알아보고 시상수를 구하는 것이다.
시간이 점차적으로 흐를수록 축전지의 전압이 높아지는 것으로 보아 전하가 쌓이고 있음을 알 수 있다. 그리고 증가하던 전압이 최고 전
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직렬회로의 전압, 전류의 이론값
k
오실로스코프
Si 다이오드 : 1N4001 , 1N4154
Ge 다이오드 : 1N34A
LED
●고 찰●
(1) 다이오드의 캐소드와 애놀드를 구별하는 방법에 대해서 기술하여라.
(2) 이 실험에서Si및 Ge다이오드의 문턱값을 표 22-1, 22-2로부
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