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회로에서의 Q factor는
이 된다.
(2) 병렬 RLC 공진 회로
그림 5에 나타낸 RLC 병렬 회로에서도 공진이 발생한다. 이번에는 이 회로에 걸리는 전압을 계산하여 이 전압을 가지고 앞의 직렬 공진 회로에서와 마찬가지로 분석하면 된다.
그림 5. 병렬
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때문에 유도 기전력이 발생한 것이다. 유도 기전력이 없었다면 전압이 0V가 되는 순간 그래프는 수직으로 떨어졌어야 한다. 하지만 유도 기전력이 그걸 방해하는 방향으로 생겨서 곡선이 나타나게 되었다.
이번 실험은 RLC 직류회로에서 축전
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시간이 걸린다.
키르히오프의 폐회로 법칙에 의해(저항에서는 전압강하, 인덕터에서는 역기전력을 모두 더한값) 실험목표
실험기구
실험이론 및 방법
(RL 회로,저항성회로, 용량성회로, 유도성회로, RLC회 로)
실험 결과
질의응답
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전압이나 커패시터의 전압이 조금씩 차이가 났는데 이런 이유는 소자의 오차 범위와 실험시 기계의 사용방법을 아주 확실히 다루지 못해서 인거 같다. 그리고 두 번째 RC 회로에서는 커패시터의 전압값이 계산해본 결과 1V 의 차이가 났었다.(
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성분 일 때(유도성 회로)
RLC 직렬회로는 성분이 우세한 유도성회로()가 되어 전압의 위상이 전류보다 앞서게 된다. 이를 페이저 도로 나타내면 위 그림의 (b)와 같다.
③ 리액턴스 성분 일 때(용량성 회로)
RLC 직렬회로는 성분이 우세한 용량성
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RLC소자가 사용된 회로를 2차회로라고 한다.
-스텝응답 : 어느 순간 회로에 직류 신호가 인가되었을 때의 응답을 의미하며 과도응답 과 강제응답으로 표현된다.
-자연응답 : 강제함수를 0으로 놓은 상태의 응답
-강제응답 : 직류 전압이 인가되
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RLC 직렬공진회로에서 공진은
omega L - 1 over {omega C} ~=~0``
, 즉
omega _o ~=~ 1 over sqrt{LC}``
공진주파수:
f_o ~=~ 1 over { 2 pi` sqrt{LC}}``
입력전압의 주파수가 0에 가까울 때는 capacitive reactance
1 / omega C``
가 커져 전류가 거의 흐르지 않게 된다. 반대로 주
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전압이 인덕터와 커패시터를 통과해도 거의 변화가 없음을 나타내주는 전압파형 그래프이다.
직렬공진회로에서 Q <1 일 때, 공진의 특성이 잘 나타나는 것을 알 수 있는 실험이었다.
실험2 : RLC 직렬공진회로 (Q >1 일 때)
R = 33Ω, C = 1mH, L = 0
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에 DMM의 단자를 달아서 가변저항을 측정한다. (임계: 진동이 될 듯 말 듯한 경계상황)
3.6 RLC 직렬회로에서 scope의 CH1에 입력전압을 가하고 CH2에 걸리는 전압을 가하여 두 파형을 동시에 측정하는 연결도를 그려서 제출하라.
FG의 출력전압과 저
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아쉬웠다. 이때까지 전류계를 주로 사용해왔는데, 전압계를 이번에 사용하게 되었다. 인덕터 저항 콘덴서 각각의 전압을 알아내기 위해서는 전위차의 변화가 어떻게 생기는지 파악해야 한다. 특히 RLC 회로에서 어려움을 겪었다. 그리고 전기
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