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결정한다.
ZnO 배리스터는 일반적으로 전압 서지 흡수 소자로서 폭넓게 이용되고 있다. 1988년을 기준으로 하여 거의 20억개의 배리스터가 생산되었다. 목 차
1. 배리스터(varistor)의 정의
2. 배리스터(varistor)의 특성 및 역할
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ZnO varistors sintered at 1250℃: (a) 0.0 at% SiO2, (b) 0.4 at% SiO2 and at 1200℃, (c) 0.0 at%, (d) 0.4 at% SiO2.
소결 온도와 SiO2 첨가량에 따른 평균 결정립크기를 측정한 결과는 <그림11>과 같다.
<그림11. Average grain sizes at a function of SiO2 contents for the specimens sin
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ZnO-Li2O-V2O5-Cr2O3)
②가열형 습도센서 : MgCr2O4- TiO2
(2) 가스센서 : 반도체의 표면에 어떤 종류의 기체분자가 붙으면 이 반도체의 도전율이 변화하며 가스누출이 없는 공기중에는 저항이 높아 전류의 흐름이 어렵게 되며, 반대로 가연성 가스가 스
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ZnO-Li2O-V2O5-Cr2O3)
②가열형 습도센서 : MgCr2O4- TiO2
(2) 가스센서 : 반도체의 표면에 어떤 종류의 기체분자가 붙으면 이 반도체의 도전율이 변화하며 가스누출이 없는 공기중에는 저항이 높아 전류의 흐름이 어렵게 되며, 반대로 가연성 가스가 스
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ZnO-Li2O-V2O5-Cr2O3)
② 가열형 습도센서 : MgCr2O4- TiO2
(2) 가스센서
반도체의 표면에 어떤 종류의 기체분자가 붙으면 이 반도체의 도전율이 변화하며 가스누출이 없는 공기중에는 저항이 높아 전류의 흐름이 어렵 게 되며, 반대로 가연성 가스가
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