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bandgap을 갖는다.
의 관계를 가지므로, 3.37eV의 bandgap은
이는 일반적으로 알려져 있는 380nm보다 낮은 값으로, ZnO의 exciton binding energy가 크기 때문에 나타나는 현상이다. (ZnO의 exciton binding energy는 60meV라고 알려져 있는데, 이를 고려하여 계산하면
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ital이 겹쳐서 형성되는 것이 valence band이다. antibonding과 bonding orbital 사이의 gap이 큰 화합물들은 다음과 같은 갭이 나타나게 되고, 이러한 갭으로 인해 나타나는 에너지가 band gap이다. metal의 경우 거의 0에 가까우며, 반도체나 부도체의 경우 band
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ergy bandgap)에 의존한다.
발광다이오드(LED) 광원의 장단점
▶ 장점
- 색채현성이 넓다.
- 반응속도가 빠르다.
- Dynamic 동이 가능하다.
- 환경 친화적이다.
- 수명이 길다.
▶ 단점
- 복잡한 광학계가 필요하다.
- 효율이 낮다. (CCFL의 절반)
- 열방출
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bandgap도 구해본다.
Ⅱ. 실험 재료 및 기구 : IGZO & Organic 증착 기판, probing system, UV-spectrometer, SPA(반도체 분석기)
Ⅲ. 실험방법 : 우리는 전기적 특성과 광학적 특성을 probe station와 UV-VIS spectroscope를 이용한다.
[1] Oxide와 Organic TFT Electrical
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bandgap에 energy states를 가진다. Oxidation 과정, metallic impurities 혹은 bond-breaking process과 연관되어 생긴다.
(2) fixed oxide charge
Silicon과 Silicon Oxide의 경계에서부터 약 30Å 아래부분에서 발생한다. charge density는 ~ 정도 이다. oxidation과 annealing condition과
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Bandgap 반도체 적용을 통한 고효율화가 주요 방향이라고 생각합니다.
7. 장기적으로 어떤 연구원이 되고 싶습니까?
HVDC 시스템의 제어와 보호를 아우를 수 있는 종합적 전문성을 갖춘 연구원이 되고 싶습니다. 나아가, 효성그룹이 글로벌 HVDC
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