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회로도 내로 흐르는 전류나 인가되는 전압이 다르게 되어 발생하게 된 오차라고 판단된다. 이것을 살펴보기 위하여 각 노드별로 오실로스코프를 통하여 측정을 하였는데 이것을 통해서도 크게 해결이 되지 않았다. Rin의 영향이 얼마나 되는
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측정에 있어서 어느 경우든지 전압단자는 회로전압에 가까운 Range를 사용한다. 부하전류가 미지인 경우 최대 전류측정 단자에 접속하여 전원switch를 넣는다. 보통 전압, 전류 Range를 단자 절환하여 전압Range는 2배 정격치, 전류 Range는 5배 정격
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회로를 만들되, Si 다이오우드를 사용하시오. 다이오우드에서 띠가 둘려 있는 쪽이 음극입니다.
2) Vf를 변화시키며 If의 값을 관측하다가, If의 값이 표 1과 같이 되었을 때의 Vf의 값을 측정하여 기록하시오.
3) Si 다이오우드 대신 Ge 다이오우드
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측정코일의~ 임피던스
#&#&~~~~R_x ~:~피측정코일의~ 저항
#&#&~~~~L_s ~:~표준코일의~ 인덕턴스#&#&~~~~R_s ~:~표준~ 저항#&#&~~~~P,~Q ~:~ 무유도~코일의 ~저항
43. 쉘링 브리지에 의한 C의 측정
(1) 정의
고압측정회로를 사용한다. 미소용량을 측정 할 수 있
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회로의 보호나 계측이 어렵다. 그러므로 변성기를 사용함.
고전압을 일정비율의 낮은 전압으로 바꿔주는 계기용 변압기를 PT
대전류를 일정비율의 낮은 전류로 바꿔주는 계기용 변류기를 CT 라고함.
사용목적 : 측정범위 확장(변압비, 변류비
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회로， 한 λ상의 탐측자(발진자， 수진자)， 수 진 증폭기， 디스플레이 유닛， 시간측정회로 및 연결 케이블로 구성된다.
이 장비의 작동원리는 초음파 속도를 이용한 비파괴검사법으로 발신자와 수신자에 의 해 콘크리트를 통과하는 초음
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측정회로를 그림 7에 나타낸다.
입력신호가 1V일 때 출력 펄스의“H”기간은 약 13㎲(약 25% 듀티), 2V일 때 약 29㎲(약 60% 듀티), 3V일 때 약 45 ㎲(약 95% 듀티)로 되었다. 4V에서는 톱니상파의 전압보다 높기 때문에 펄스 출력은“H”인 상태이다.예
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비저항 측정
4. R-L-C회로측정
5. 반도체다이오드의 특성
6. 트랜지스터의 특성
7. 빛의 반사와 굴절법칙
8. 이중슬릿의 간섭과 회절
9. 광전효과에 의한 Planck상수 측정
10. 2008년 2학기 한양대학교 일반물리실험 기말고사 시험지
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측정회로에 영향을 주지 않는다.- 클수록 출력의 변화가 빨라진다.
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▣ Q1, Q2는 차동증폭기 - (Q1: 비반전 입력으로 출력되고, Q2: 반전 입력으로 출력된다.Q3, Q4는 정전류 회로(Current Mirror)
- Q4에 일정전류가 흐른다. Q3는 Diode와 같다.-Q1의 콜렉
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측정회로 저지전압에 의해 전자의 음극 도달 여부가 결정된다.
광전효과의 대표적인 실험장치는 <그림 1>과 같다. 만약 적당한 크기의 진동수를 가진 단색광을 금속면(양극:anode)에 비추면 금속면으로 부터 전자가 방출되어 음극(cathod)에
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