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electron과 hole이 semiconductor 안에서 electron-hole pair를 말들거나 carrier들이 좀 더 높은 impurity level로 여기된 후 다시 그들의 바닥상태(equilibrium state)로 떨어지는 과정을 통해 물질에 의해 빛이 발생한다. 이러한 light emission을 luminescence(루미네선스)
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광도전 셀(CdS)
유화 카트뮴을 주 성분으로 하여 빛의 광 강도에 의한 저항 값의 감소를 이용한 센서.(광저항소자)
광도전 현상=전자-정공 쌍 (Electron-hole pair)이 발생하여 , 그 부분의 전기 전도도(도전율)이 증가한다.
CdS의 특성
소
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► 진성반도체 (intrinsic semiconductor) : 불순물이나 결정 결함이 없는 완전한 반도체 결정
T= 0 K, VB: 전자로 충만, CB: 비어있음
에너지 (열, 빛, etc.) 에 의해 VB 전자 →로 이동 : 전자-정공 쌍(EHP : Electron-Hole Pair) 생성(generation)
자유전자 수 =
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electron-hole pair를 동일한 수로 생성시키는 것이다. 전자가 채워져 있는 valence band로 이동하고 이 때 생성된 정공은 산화반응에 기여하고 conduction band이동한 전자는 환원반응에 기여한다.
이때 여기 conduction band로 이동한 전자는 전자수용체인 O2
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electron-hole pair를 동일한 수로 생성시키는 것이다. 전자가 채워져 있는 valence band로 이동하고 이 때 생성된 정공은 산화반응에 기여하고 conduction band이동한 전자는 환원반응에 기여한다.
이때 여기 conduction band로 이동한 전자는 전자수용체인 O2
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