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특성은 순방향에서 저항 값이 0이고 역방향 저항 값은 가 나온다. 그러나 일반적인 다이오드는 순방향에서도 어느 전압까지는 전류가 거의 흐르지 않는다. 그러한 이유는 p형과 n형을 붙였을 경우 그 사이에 고갈상태가 되기 때문에 순방향일
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P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층을 생성함. 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가는 절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전
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실험 1 .반도체 다이오드의특성
1. 목적
2. 이론
3. 사용기기 및 재료
실험 방법
고찰 및 평가
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특성을 응용하여 광 센서로 사용
8.수광(포토)다이오드: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용
9.배리스터 다이오드: 트랜지스터의 출력단의 온도 보상에 사용 1. 다이오드란.
2. n형반도체 p형 반도체란
3. 다이오드의 특성곡선
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많이 사용 : 게이트에 전류가 흐르지 않으므로 전력소모가 적고 공정상 집적도가 높다. 1. 트랜지스터의 역사
2. 트랜지스터의 종류
3. 트랜지스터의 구조
4. 트랜지스터의 전류
5. p형,n형 동작특성
6. BJT 전류-전압 특성
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2.반도체
3.N형 반도체와 P형 반도체
4.다이오드의 특성 곡선
5.제너다이오드에 의한 전압안정화
6.lithography기술
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특성
지금까지 설명한 다이오드는 가한 전압의 극성에 따라 전류가 흐르기도 하고 흐르지 않기도 한다는 것을 알았다. 즉 다이오드는 한쪽 방향으로만 전류가 흐르는 정류작용이 있다. 그림 22-6은 다이오드의 특성을 나타낸 것이다. 여기서
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특성을 그림 1-9에서 나타내고 있다.
그림 1-8. 다이오드 3차 근사 해석법에 의한 등가회로
그림 1-9. 3차 근사 해석법에 의한 전압-전류 특성
3. 실험 기계 및 부품
1) 직류 전원 장치
2) 멀티미터 : VOM(volt-ohm-milliammeter)
3) 실리콘 다이오드 : 1N4148
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특성
I_DSS = KV_t^2 =KV_p^2
JFET 특성들은 MOSFET에 대해 사용했던 식들로 기술될 수 있다. 구체적으로,
V_t
를
V_p
로 명칭을 갈면, 우리는 다음과 같이 쓸 수 있을 것이다. 즉, n 채널 JFET는
v_GS <= V_P
일 때 차단된다. 여기서
V_P
는 마이너스이다.
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특성곡선을 도시하라
③ 다이오드의 극성을 역방향으로 변환하여 Vd를 0부터 -30V까지 변화시켜 Vd와 I를 측정 하여 Vd - I 특성곡선을 구하라.
④ 다른 2개의 다이오드에 대하여 위의 실험과정을 반복하라.
4. 참고문헌
-최신기초전기전자실험 (김
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