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지 않아, SRAM의 주류는 풀 CMOS형이 되었다.
③ How to operate
DRAM 과는 달리 일정한 간격으로 다시 기록해주는 리프레시 작업이 필요없기 때문에 속도가 매우 빠르다.(5-20ns) 따라서 SRAM은 마이크로 프로세서와 DRAM사이에서 속도 편차를 줄여주는 역
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(1) 2K X 8bit의 SRAM을 이용하여 16bit의 주소를 가지고 있는
8bit 마이크로프로세서의 메모리 부 시스템을
공식에 따라 도면을 설계하시오
(이때, 메모리 부 시스템의 용량은 16K byte이며,
가장 높은 물리적 주소를 할당
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어느 한쪽에서는 전류가 흐르고 있으므로 1비트당 소비전력은 DRAM에 비하여 평균 2배 정도가 된다. ★ RAM이란
★ DRAM과 SRAM
DRAM(Dynamic RAM) → 동적램
- 구조 및 저장/동작방식
SRAM(Static RAM) → 정적램
- 구조 및 저장/동작방식
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SRAM보다 느린데 굳이 DRAM을 쓰는 이유는 가격에 있습니다. 충전 회로를 다는 비용이 훨씬 더 싸게 먹히므로 가격적인 잇점이 있으며 전력 소비량도 SRAM보다 적습니다. 이러한 여러가지 사정으로 인해 현재까지도 DRAM이 컴퓨터의 주 메모리로
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memory (캐시 메모리)
◎ SRAM (static random access memory)
◎ DRAM (dynamic random access memory)
◎ PROM (programmable read-only memory)
◎ EPROM (erasable programmable read-only memory)
◎ EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory)
◎ MaskROM (마스크롬)
*참고사이트
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SRAM
512 ISP(In-System Programmable) EEPROM 메모리
플래시 프로그램 Lock 과 EEPROM 데이터의 보안 기능
직렬 통신 포트를 사용한 ISP 기능
-주변 장치의 특징
8채널 10비트 A/D 변환기
비동기 직렬 통신(UART)
별도의 프리스케일러와 PWM 기능
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SRAM 접근 방식으로 ACCESS.
ㆍADS7846 Touch 전용 센서 IC 실장. (SPI방식)
ㆍAT45DB161D 대용량 고속 Serial Flash IC 실장
ㆍIRLML6402 FET 내장
ㆍMicroSD 소켓을 사용자가 추후 실장 가능.
ㆍC언어 LCD LIB 소스 제공.
3.1.7 배터리
[표 3-8] 배터리
사 진
내 용
ㆍPCM보
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SRAM 설계를 진행할 때 Read의 오차를 해결하지 못했었는데, 앞선 방법을 사용하며 Sense Amplifier를 추가하는 등 회로를 점진적으로 수정한 결과 원하는 파형을 얻을 수 있었습니다.
네 번째로 컴퓨터구조 프로젝트에서 Verilog를 이용해 16bit CPU와 S
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