목차
1. 목적
2. 원리
3. 결과 및 분석
4. 토의
2. 원리
3. 결과 및 분석
4. 토의
본문내용
0
0.133
0.422
1.151
2.50
4. 토의
우리 조의 실험은 일반적인 이론(옴의 법칙, 다이오드)의 그래프와 비슷한 실험 결과를 얻었다. 다이오드에 대해서 말하면, 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 반도체란 원래 이러한 성질을 가지고 있기 때문에 반도체라 부르는 것이다. 트랜지스터도 반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 것을 목적으로 하고 있다.
전류의 흐름을 나타냄
더 자세히 살펴 보면,
다이오드는 순방향과 역방향이 있다.
먼저 순방향에 대해서 살펴보면,
n형에 (-)를 p형에 (+)를 가할 때를 나타내는 것이며, 같은 극성이라 서로 반발하여 전자와 정공이 화살표 방향으로 이동한다.(공핍층의 감소) 이 때 전류는 매우 잘흐르고, 다이오드의 저항값은 감소한다.
역방향에 대해서 살펴보면,
n형에 (+)를 p형에 (+)를 전압을 가할 나타내는것이며, 반대 극성이라 서로 당겨 전자와 화살표 방향으로 이동한다.(공핍층 증가)
다이오드의 저항값이 증가하므로 전류는 거의 흐르지 않는다.
순방향으로 전압을 가할 때와 역방향으로 전압을 가할 때 나타나는 다이오드의 그래프를
나타내면 다음과 같다.
0.133
0.422
1.151
2.50
4. 토의
우리 조의 실험은 일반적인 이론(옴의 법칙, 다이오드)의 그래프와 비슷한 실험 결과를 얻었다. 다이오드에 대해서 말하면, 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 반도체란 원래 이러한 성질을 가지고 있기 때문에 반도체라 부르는 것이다. 트랜지스터도 반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 것을 목적으로 하고 있다.
전류의 흐름을 나타냄
더 자세히 살펴 보면,
다이오드는 순방향과 역방향이 있다.
먼저 순방향에 대해서 살펴보면,
n형에 (-)를 p형에 (+)를 가할 때를 나타내는 것이며, 같은 극성이라 서로 반발하여 전자와 정공이 화살표 방향으로 이동한다.(공핍층의 감소) 이 때 전류는 매우 잘흐르고, 다이오드의 저항값은 감소한다.
역방향에 대해서 살펴보면,
n형에 (+)를 p형에 (+)를 전압을 가할 나타내는것이며, 반대 극성이라 서로 당겨 전자와 화살표 방향으로 이동한다.(공핍층 증가)
다이오드의 저항값이 증가하므로 전류는 거의 흐르지 않는다.
순방향으로 전압을 가할 때와 역방향으로 전압을 가할 때 나타나는 다이오드의 그래프를
나타내면 다음과 같다.
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