트랜지스터 특성 곡선

목차

트랜지스터 특성 곡선Ⅰ

트랜지스터 특성 곡선Ⅱ

본문내용

_C
식5
여기서
beta_dc = I_C OVER I_B
이고,
alpha_dc = I_C OVER I_E
이므로 위의 식을 다시 정리하면 다음과 같다.
1 over alpha_dc = 1 + 1 over beta_dc
식6
= {1 + beta_dc } over beta_dc
.
THEREFORE alpha_dc = beta_dc over {1+ beta_dc}
식7
이 식은
beta_dc
를 알고 있는 경우
alpha_dc
를 계산하는 간단히 수식정리에 의하여
alpha_dc
를 알고 있는 경우
beta_dc
를 계산하는 식을 유도할 수 있다. 즉, 식 6으로 부터
1 over beta_dc = 1 over alpha_dc -1
= {1- alpha_dc } over {alpha_dc}
THEREFORE beta_dc = alpha_dc over {1-alpha_dc}
식8
공통에미터 증폭기에서도 완전한 특성을 이해하기 위해서는 2개의 특성곡선이 필요하다. 즉, 그림 14-11과 같은 입력(베이스)특성곡선과 출력(콜렉터)특성곡선이다. 입력특성곡선은 여러 가지 출력전압
(V_CE )
에 대하여 입력전압
(V_BE )
에 대한 입력전류
(I_B )
의 관계를 나타낸 그림으로 공통베이스회로의 입력 특성곡선과 유사한 모양을 나타냄을 알 수 있다. 따라서 트랜지스터가 \"온\"상태일 때 베이스와 에미터 사이에 나타나는 전압
V_BE = 0.7 V
가 된다.
출력특성곡선은 여러 가지 입력전류
I_B ( mu A)
에 대하여 출력전압
V_CE (V)
에 대한 출력전류
I_C (mA)
의 관계를 나타낸 그림이다. 그림 14-11(a)의 특성곡선에서
V_CE
가 증가하면
I_C
의 크기가 수평이 되지 않고 약간 증가하는데, 이는 콜렉터-에미터 전압이 콜렉터 전류의 크기에 약간의 영향을 미친다는 것을 의미한다.
공통에미터 증폭기의 활성영역을 그림 14-11(a)에 표시된 바와 같이
V_CE(sat)
에서 수직으로 뻗은 선의 오른쪽과
I_B
가
0
인 영역 위쪽에 해당하는 영역이다. 공통 에미터 증폭기의 활성영역은 선형성을 유지하기 때문에 주로 전압증폭, 전류증폭 또는 전력증폭에 많이 이용된다.
포화영역(saturation region)은 14-11(a)에서
V_CE(sat)
의 왼쪽에 해당하는 영역으로 베이스-에미터 접합과 콜렉터-베이스 접합이 모두 순방향으로 바이어스 되어 있는 영역이다. 그리고 공통에미터 회로에서 차단영역(cutoff region)은
I_B
가 0이 되는 영역으로, 그림 14-11(a)에서
I_B
가 0일 때
I_C
는 0이 아니라
I_{C E O}
가 된다는 점에 유의해야 한다.
[참고 서적]
전자공학개론 정림사. 저자 김종훈 1998년 4월 20일 발행.
전자회로. 희중당. 김봉열 임제탁외. 1994년 12월 10일 발행.
Electronic Device and Circuit Theory PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky

키워드

트랜지스터,   콜렉터 전류,   베이스 전류,   바이어스 전압,   역방향