본문내용
선형 증폭기에서 사용되는 트랜지스터의 바이어스 조건은 무엇인가?
☞ 가 순방향 바이어스, 가 역방향 바이어스가 되어야 한다.(활성)
2. 증폭기로 사용된기 위해 npn 트랜지스터 베이스는 어떻게 바이어스 되어야
하는가?
☞ 가 순방향 바이어스, 가 역방향 바이어스가 되어야 한다.
3. 일단 포화된 상태에서 베이스 전류를 증가시키면 어떻게 되는가?
☞ 트랜지스터가 포화되면 가 증가하더라도 는 증가하지 못하고
의 관계로 성립되지 않는다.
4. 베이스와 에미터 접합이 개방되면 컬렉터 전압은? 외부전압 와 같다.
5. 컬렉터 특성영역에서 의 증가에도 불구하고 가 일정하게 유지되는
구간을 (활성영역) 이라한다.
6. 트렌지스터가 포화되기 위해 와 의 바이어스는?
☞ 둘 모두 순방향 바이어스 되어야 한다.
7. 차단영역과 포화영역에서 트랜지스터는 (스위치 동작)을 하게된다.
문 제 풀 이
8. 그림 5-7의 회로에서 , 그리고 를 구하라. 또한 트랜지스터가
포화상태인지 아닌지를 결정하라.
①
②
③
④
⑤
∴ 의 값이 의 값보다 크므로 는 역방향 바이어스, 는
순방향 바이어스 이므로 트랜지스터는 활성영역(증폭)이다.
9. 양호한 npn트랜지스터의 외부회로 시험에서 (+)프로브가 에미터에 (-)
프로브가 베이스에 연결될 때 아날로그 옴미터의 지시는 어떻게 되는가?
☞ 입력파형이 반대가 되어 나온다.
10. 다음회로에서 트랜지스터의 컬렉터 포화전류 를 계산하라. 포화되기
위한 베이스 전류 는 얼마인가? 또한 트랜지스터가 포화되기 위한
의 최소값은 얼마인가? 단, 로 가정한다.
문 제 풀 이
①
②
③
☞ 가 순방향 바이어스, 가 역방향 바이어스가 되어야 한다.(활성)
2. 증폭기로 사용된기 위해 npn 트랜지스터 베이스는 어떻게 바이어스 되어야
하는가?
☞ 가 순방향 바이어스, 가 역방향 바이어스가 되어야 한다.
3. 일단 포화된 상태에서 베이스 전류를 증가시키면 어떻게 되는가?
☞ 트랜지스터가 포화되면 가 증가하더라도 는 증가하지 못하고
의 관계로 성립되지 않는다.
4. 베이스와 에미터 접합이 개방되면 컬렉터 전압은? 외부전압 와 같다.
5. 컬렉터 특성영역에서 의 증가에도 불구하고 가 일정하게 유지되는
구간을 (활성영역) 이라한다.
6. 트렌지스터가 포화되기 위해 와 의 바이어스는?
☞ 둘 모두 순방향 바이어스 되어야 한다.
7. 차단영역과 포화영역에서 트랜지스터는 (스위치 동작)을 하게된다.
문 제 풀 이
8. 그림 5-7의 회로에서 , 그리고 를 구하라. 또한 트랜지스터가
포화상태인지 아닌지를 결정하라.
①
②
③
④
⑤
∴ 의 값이 의 값보다 크므로 는 역방향 바이어스, 는
순방향 바이어스 이므로 트랜지스터는 활성영역(증폭)이다.
9. 양호한 npn트랜지스터의 외부회로 시험에서 (+)프로브가 에미터에 (-)
프로브가 베이스에 연결될 때 아날로그 옴미터의 지시는 어떻게 되는가?
☞ 입력파형이 반대가 되어 나온다.
10. 다음회로에서 트랜지스터의 컬렉터 포화전류 를 계산하라. 포화되기
위한 베이스 전류 는 얼마인가? 또한 트랜지스터가 포화되기 위한
의 최소값은 얼마인가? 단, 로 가정한다.
문 제 풀 이
①
②
③
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