생체감각과 센서기술
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소개글

생체감각과 센서기술에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. CCD 이미지 센서 - 시각

2. 감압다이오드 (減壓- pressure sensitive diode) - 청각

3. 스트레인 게이지 - 촉각

4. 서미스트 - 온각

5. 가스센서 - 취각

6. 이온검출 FET - 미각

본문내용

② 채널(channel) : n형 반도체 내에서 공핍층을 제외한 영역은 VDS에 의해 자유 전자가 이동하는 영역.
③ VGS를 가할 경우 : VGS=0[V]일 때는 공핍층은 VDS에 의한 것이었지만, VGS를 증가시키면 그 전압이 역방향 전압이므로, VGS=0[V}일 때보다 공핍층이 넓어져 같은 VDS일지라도 ID는 작아진다.
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전류
(가) 전압을 가하는 법과 흐르는 전류 : 접합형의 경우와 같이 VDS가 어떤값 이상으로 커지면 VGS전압만으로 드레인 전류 ID가 제어된다.
(나) 채널 내부에서의 전자의 움직임 :
① VGS를 변화시킴으로써 VDS에 영향을 받지 않고 채널을 변화시켜 ID를 제어할 수 있다.
[4] 감소형과 증가형
① 감소형 : 절연 게이트형(MOS형)FET는 게이트 전압 VGS가 가해짐에 따라 미리 형성된 채널을 좁혀서 드레인 전류 ID를 감소시키는 특성을 가지고 있으므로 감소형이라 한다.
② 증가형 : VGS를 가하지 않았을 때는 채널이 형성되지 않고, VGS를 가함으로써 채널이 형성되게 하여, VGS를 크게 함에 따라 채널이 넓어져 ID가 증가하도록 만든 것을 증가형이라 한다.
  • 가격1,500
  • 페이지수4페이지
  • 등록일2006.09.19
  • 저작시기2006.9
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#364536
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