Cutoff energy의 수렴성 (전산모사)

목차

■ Cutoff energy의 수렴성을 계산하시오.

■ 결정한 cutoff energy로 격자상수를 계산하시오.

■ 결정한 cutoff energy와 격자상수로 DOS를 계산하시오.

■ 조교로부터 받은 DOS 데이터

본문내용

states가 0인 지점이 0eV가 아닌 0eV ~ 2eV사이 부근에서 나타나는 것을 볼 수 있다. Band Gap이 positive값을 갖는 쪽으로 움직인 것으로 보아 P-type으로 도핑된 것으로 추측된다. P-type으로 도핑 되기 위해서는 3족 원소와 결합해 hole을 만들어야 하므로 Baron과 Phosphorus(5족) 중 3족 원소인 Baron으로 도핑 되었다는 것을 알 수 있다. 위의 그래프에서 순수한 Si의 경우 Density of states가 0인 지점, 즉 Band Gap 부분이 0eV부근에 위치한다는 것과 Band Gap 부분이 0eV ~ 2eV사이에 위치하게 되어있다면 P-type 도핑, 반대로 -2eV ~ 0eV 부근에 위치하면 N-type 도핑 되었다는 것을 알 수 있다.

키워드

전산모사,   Cutoff,   격자상수