BJT 특성결과보고서

소개글

BJT 특성결과보고서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. BJT(Bipolar Junction Transistor)

2. BJT의 동작
1) Forward Active Mode (혹은 그냥 Active Mode, 능동 상태)
2) Saturation Mode (포화 상태) - 스위치 구성에 사용함 (ON상태)
3) Cut-off Mode (차단 상태) - 스위치 구성에 사용함 (OFF상태)

3. 실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
실험 2. 이미터 공통 증폭기

4. 실험에 대한 고찰

본문내용

ollector - Base의 PN접합면에는 Base쪽에 더 높은 전압을 건다. (역시 PNP면 반대로 Collector쪽을 더 높게걸어주어야 한다.)
③ 이렇게 되면 2개의 PN접합에 모두 순방향 바이어스(Forward Biased) 상태로 만들어준 형태가 되고, 매우 큰 전류가 Emitter와 Collector에 흐르게 된다.

3) Cut-off Mode (차단 상태) - 스위치구성에 사용함 (OFF상태)
① 포화 상태와 반대로 Emitter - Base와 Collector - Base의PN접합면에, 모두Reverse Biased(역방향 바이어스)를 걸어준다. (역시 PNP면 반대로 걸어야겠다.)
②이렇게 되면 모든 단자에 거의 전류가 흐르지 않게 된다.



※ 순방향 바이어스 : PN접합에서 P단자의 전압이 N단자의 전위보다 높을때
※ 역방향 바이어스 : 위의 반대
따라서 NPN과 PNP의 경우는 방향이 반대되어야 함을 유의해야 한다.

Emitter-Base Junc.
에미터-베이스 접합
Collector-Base Junc.
콜렉터-베이스 접합
Mode
상태
Effect
응용
Forward Biased
순방향 바이어스
Reverse Biased
역방향 바이어스
Forward Active Mode
능동 상태
증폭 작용
Forward Biased
순방향 바이어스
Forward Biased
순방향 바이어스
Saturation Mode
포화 상태
스위치 작용 (ON)
Reverse Biased
역방향 바이어스
Reverse Biased
역방향 바이어스
Cut-off Mode
차단 상태
스위치 작용 (OFF)

3. 실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
일 때 컬렉터는 역방향 바이어스가 아니므로 컬렉터 전류는 0이 된다. 를 약간 증가시키면 컬렉터 전류 는 급속히 증가하며, 특성 곡선 중 원점 부근의 직선부분을 포화 영역이라 하고, 이 영역에서 는 0.7V보다 작기 때문에 컬렉터는 약간 순방향 바이어스에 있게 된다. 가 0.7V보다 커지면 컬렉터는 역방향 바이어스가 되며, 이 때 컬렉터 전류는 거의 일정하게 된다.
실험 2. 이미터 공통 증폭기
,
,
, 짤림 현상
첫 번째 그래프와 두 번째 그래프는 동작점이 특성곡선의 가운데에 오게 잘 조정해서 그래프가 부드럽게 나왔고 세 번째 그래프는 동작점이 특성곡선 가운데에 오지 않아 짤림 현상이 나타났다.
4. 실험에 대한 고찰
이번 실험은 Bipolar Junction Transistor의 특성을 알아보는 실험이었다. 특성 곡선을 보면 가 0에서 조금씩 증가할 때 는 급격히 증가하고, 포화 영역에 도달하면 전류는 거의 일정하게 된다. 여기서 포화점과 차단점을 연결한 선인 로드라인을 나타낼 수 있다. 전류를 증폭시키는 회로에서 신호의 증폭은 로드라인 상에서 일어나게 된다. 동작점은 로드라인 상에 존재하는데 동작점이 포화점이나 차단점에 가까울 경우 증폭된 신호가 짤림 현상이 일어날 수 있으므로 주위에 bias 회로를 구성하여 동작점을 로드라인 중심에 위치하도록 해야 한다.

키워드

BJT(Bipolar Junction Transistor),   Forward Active Mode ,   Saturation Mode ,   Cut-off Mode ,   이미터 공통 증폭기,   Transistor 특성 곡선,   BJT의 동작