고전압 펄스발생 회로(인덕터를 이용한)
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소개글

고전압 펄스발생 회로(인덕터를 이용한)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Ⅰ 저항 R, 출력전압 방정식의 유도과정
ⅰ a에 위치할 때 (0≤t≤1ms)
ⅱ b에 위치할 때 (1ms≤t≤2ms)
Ⅱ 스위치 동작에 따른 등가 회로도
ⅰ a에 위치할 때 (0≤t≤1ms)
ⅱ b에 위치할 때 (1ms≤t≤2ms)
Ⅲ Excel 그래프로 그린 출력전압과 전류 파형 ( 0󰀃t󰀃2ms )
ⅰ Excel로 만든 각 시간별 i(t)와 V(t)0 표
ⅱ Excel로 그린 출력전압 V(t)0 그래프
ⅲ Excel로 그린 전류파형 L에서의 i(t) 그래프
Ⅳ 시뮬레이션 프로그램 회로도(A)
Ⅴ 시뮬레이션 프로그램 결과 파형(A)
Ⅵ 시뮬레이션 프로그램 회로도(B)
Ⅶ 시뮬레이션 프로그램 결과 파형(B)

본문내용

057E-19
100
3.89E-17
0.00177
1.81257E-33
100
1.81E-31
0.00145
1.43126E-19
100
1.43E-17
0.00178
6.66807E-34
100
6.67E-32
0.00146
5.26531E-20
100
5.27E-18
0.00179
2.45305E-34
100
2.45E-32
0.00147
1.937E-20
100
1.94E-18
0.00180
9.02426E-35
100
9.02E-33
0.00148
7.12582E-21
100
7.13E-19
0.00181
3.31984E-35
100
3.32E-33
0.00149
2.62144E-21
100
2.62E-19
0.00182
1.2213E-35
100
1.22E-33
0.00150
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100
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0.00183
4.49291E-36
100
4.49E-34
0.00151
3.54774E-22
100
3.55E-20
0.00184
1.65285E-36
100
1.65E-34
0.00152
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100
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0.00185
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100
6.08E-35
0.00153
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100
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0.00154
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100
1.77E-21
0.00187
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100
8.23E-36
0.00155
6.49791E-24
100
6.5E-22
0.00188
3.0273E-38
100
3.03E-36
0.00156
2.39045E-24
100
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0.00189
1.11368E-38
100
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0.00157
8.79396E-25
100
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4.09701E-39
100
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3.23512E-25
100
3.24E-23
0.00191
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100
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100
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100
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100
1.61E-24
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100
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100
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100
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100
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1.01555E-41
100
1.02E-39
0.00164
8.01905E-28
100
8.02E-26
0.00197
3.73599E-42
100
3.74E-40
0.00165
2.95005E-28
100
2.95E-26
0.00198
1.37439E-42
100
1.37E-40
0.00166
1.08526E-28
100
1.09E-26
0.00199
5.05611E-43
100
5.06E-41
0.00167
3.99245E-29
100
3.99E-27
0.00200
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100
1.86E-41
0.00168
1.46874E-29
100
1.47E-27
2) Excel로 그린 출력전압 V(t)0 그래프
3) Excel로 그린 전류파형 L에서의 i(t) 그래프
4. 시뮬레이션 프로그램 회로도(A)
위의 회로도는 지금까지 해석한 회로도와 같은 결과 값을 주는 회로도이다.
위의 회로도는 PSpice 상에 반복 스위치가 없기에 임의로 Close와 Open
스위치를 사용하여 만들었다.
전압이 있는 곳에 회로도에 Close와 Open이 둘 다 있는 이유는 i(t) 값을
만들기 위해서 이다. 회로의 처음 부분(a)이 0s일 때 Close 상태로 i(t)1 = 5000t
이다. 그 후 1ms 일 때 두 번째 부분(b) 분이 Close되고 처음 부분이 Open된
다. 그 때 i(t)2의 값은 i(t)2 = 이 된다.
이 후 전압 V(t)는 전류 X R 이므로, V(t) = i(t)2 X R 이고,
∴ V(t) = X 100으로 V 값이 나온다. 이 회로도의 simulation 결과
는 다음 5번(A)을 확인하면 된다.
5. 시뮬레이션 프로그램 결과 파형(A)
처음 파형 1번은 i(t)의 파형이고, 두 번째 파형은 2번은 V의 파형이다.
각 파형은 t = 1.0ms에서 최고값이 나오는 것을 볼 수 있다.
1번 파형 i(t) = 4.9488[A]로 5A의 근사값이 나오며,
2번 파형 V = 482.813[V]로 500V의 근사값이 나온다.
이유를 고찰해 보면 스위치도 저항이 있기 때문인 것 같다.
6. 시뮬레이션 프로그램 회로도(B)
이 회로도는 두 번째로 한 회로도로 Sbreak과 VPluse를 사용하여 만든 회로도 이다. Sbreak는 스위치로 사용하였고, VPluse를 사용하여 반복을 할 수 있도록
만들 었다. VPluse는 주기를 생성한다. 그래서 입력값을 2ms 마다 1ms에서 최
대값이 나오도록 설정을 하였고, 회로내에서 8ms까지 나오게 하여 시뮬레이션
결과는 2ms 마다 1ms에서 최대값을 보이는 것을 확인 할 수 있다.
Sbreak과 VPluse를 a영역과 b영역에 설치한 이유는 스위치 역할을 하기 위해서
이다. 만약 한 영역만 설치하게 되면 결과가 안 나오는 것을 확인 할 수 있다.
7. 시뮬레이션 프로그램 결과 파형(B)
위의 시뮬레이션 결과는 시뮬레이션 회로도 B의 결과로 2ms 마다 1ms에서
최대값이 나오는 것을 확인 할 수 있다.
첫 번째 파형 V(t) = 474.028[V]이고,
두 번째 파형 I(t) = 4.74028[A] 인 것을 확인 할 수 있다.
이 회로에서도 마찬 가지로 Sbreak과 VPluse에서 저항 역할을 해서 실제
나와야 하는 이론값인 V(t) = 500[V]와 I(t) = 5A가 나오지 않았다.
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  • 페이지수17페이지
  • 등록일2011.06.25
  • 저작시기2011.6
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#686565
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