목차
1. 목 적
2. 서 론
1) 반도체란
2) 순수 반도체와 불순물 반도체
3) 순방향 및 역방향 바이어스
4) 다이오드 전압전류 특성 및 극성 테스트
3. 실험 방법
4. 사용기기 및 부품
5. 실험 결론 및 고찰
2. 서 론
1) 반도체란
2) 순수 반도체와 불순물 반도체
3) 순방향 및 역방향 바이어스
4) 다이오드 전압전류 특성 및 극성 테스트
3. 실험 방법
4. 사용기기 및 부품
5. 실험 결론 및 고찰
본문내용
100Ω]-560Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] -450Ω
[1kΩ] - ∞
1N34A
[100Ω]-250Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] - 60Ω
[1kΩ] - ∞
(2) 다이오드의 I-V 특성을 그래프로 그려라.
5. 실험 결론 및 고찰
(1) 실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을 때 공핍층이 형성되어 보통 때는 전류를 흐르지 않은 부도체로 있다가 순방향으로 전류를 흘려주면 전자가 이동하려고 하는 방향과 이온이 움직이는 방향이 일치하여 어느 한 순간이 되면 전류가 흐르는 것을 알 수 있었습니다. 위의 그래프에서와 같이 갑자기 전류가 높아지는 부분을 볼 수 있는 데 이것을 전위 장벽이라고 하고 반도체에서는 존재한다는 것을 알았습니다.
하지만 역방향으로 전압을 걸어주었을 때는 전자가 이동하려는 방향과 이온이 움직이려는 방향이 반대로 되어 전류가 흐르지 못하게 되는 데 이때 아주 적은 양의 전류가 흐르게 되는 데 일반적으로는 측정하기 힘들기 때문에 측정할 수 없었습니다. 이 역방향 다이오드에 전압을 무리하게 높여주면 다이오드가 부서지는 일이 있다고 들었고, 또 표 1-3에서 보면 다이오드가 순방향일 때는 저항이 존재하지만 역방향일 때는 무한대로 나왔습니다. 그 이유는 역방향일 때는 전류가 흐르지 않기 때문에 저항 값은 측정할 수 없을 만큼 크다고 생각되었기 때문입니다. 군대 제대 후에 복학해서 처음 해보는 실험이여서 참 기억에 많이 남습니다. 첫 시간이라서 어리버리한 적도 있었는데 반도체, 다이오드와 특성원리 등을 알게 되었고 잊어버렸던 테스터기를 쓰는 방법도 다시 알게 되었습니다.
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] -450Ω
[1kΩ] - ∞
1N34A
[100Ω]-250Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] - 60Ω
[1kΩ] - ∞
(2) 다이오드의 I-V 특성을 그래프로 그려라.
5. 실험 결론 및 고찰
(1) 실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을 때 공핍층이 형성되어 보통 때는 전류를 흐르지 않은 부도체로 있다가 순방향으로 전류를 흘려주면 전자가 이동하려고 하는 방향과 이온이 움직이는 방향이 일치하여 어느 한 순간이 되면 전류가 흐르는 것을 알 수 있었습니다. 위의 그래프에서와 같이 갑자기 전류가 높아지는 부분을 볼 수 있는 데 이것을 전위 장벽이라고 하고 반도체에서는 존재한다는 것을 알았습니다.
하지만 역방향으로 전압을 걸어주었을 때는 전자가 이동하려는 방향과 이온이 움직이려는 방향이 반대로 되어 전류가 흐르지 못하게 되는 데 이때 아주 적은 양의 전류가 흐르게 되는 데 일반적으로는 측정하기 힘들기 때문에 측정할 수 없었습니다. 이 역방향 다이오드에 전압을 무리하게 높여주면 다이오드가 부서지는 일이 있다고 들었고, 또 표 1-3에서 보면 다이오드가 순방향일 때는 저항이 존재하지만 역방향일 때는 무한대로 나왔습니다. 그 이유는 역방향일 때는 전류가 흐르지 않기 때문에 저항 값은 측정할 수 없을 만큼 크다고 생각되었기 때문입니다. 군대 제대 후에 복학해서 처음 해보는 실험이여서 참 기억에 많이 남습니다. 첫 시간이라서 어리버리한 적도 있었는데 반도체, 다이오드와 특성원리 등을 알게 되었고 잊어버렸던 테스터기를 쓰는 방법도 다시 알게 되었습니다.
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