반도체공학 HDD Does량에 따른 도핑농도와 I-V 특성 관계 프로젝트

소개글

반도체공학 HDD Does량에 따른 도핑농도와 I-V 특성 관계 프로젝트에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.설계 목적
2.설계 조건
3.가설 설정
4.최종 실험 결과
5.결과 및 분석

본문내용

설계 목적
1. 전극에 이온을 주입할 때, 주입량과 Does량의 대한 변화 값 측정
2. 주입량 변화에 따라,Dose량과의 변화가 있는지를 I-V 그래프로 살펴 보겠다.

설계 조건

기판 고정값
Environment Title nMOSFET
substrate dopant Boron
substrate concentration 5e15/com3

나머지는 PPT에 서술하였습니다.

키워드

반도체공학,   HDD Does,   도핑농도,   I-V 특성,   Does와도핑농도,   도핑,   도핑 특성,   반도체 Does