[트랜지스터 동작(작동), 터널다이오드]터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동), 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동), 이미터 트랜지스터의 동작(작동), 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동) 분석

소개글

[트랜지스터 동작(작동), 터널다이오드]터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동), 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동), 이미터 트랜지스터의 동작(작동), 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동) 분석에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Ⅰ. 개요

Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)

Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FET
2. Enhancement type

Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동)

Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동)

참고문헌

본문내용

기에 충분치 못하며, 공간 전하 영역은 도핑되지 않은(진성) GaAs층으로 확산된다. 이에 따라 밴드의 휨은 위쪽으로 이동하며, 2차원 전자개스층은 형성되지 않는다. 문턱전압보다 높은 (+)전압을 게이트에 인가하면, 경계면에 전자가 축적되어 2차원 전자 개스층을 형성하게 된다.
전자의 농도로써 D와 E-HEMT의 동작을 제어할 수 있다. 온도가 감소하면 300oK에서의 8000cm2/Vs 정도의 전자 이동도는 광자 산란의 감소로 인하여 77oK에서의 2x105cm2/Vs로 증가한다. 온도가 더욱 더 감소하면 전자의 이동도는 50oK에서 1.5x106cm2/Vs 그리고 4.5oK에서 2.5x106cm2/Vs로 된다.
40~70GHz용 HEMT 증폭기가 만들어지고 있으며, 60GHz의 증폭기는 56~62GHz범위에서 4.5~6.5dB의 이득을 갖는다. 또, 57.5GHz에서 측정된 잡음지수는 6dB정도이다. 72GHz의 경우에는 4~5dB의 이들을 얻을 수 있고, 대역폭은 2.5GHz 정도이다.
참고문헌
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서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양대학교
장수환(2010), 질화갈륨계 고전자이동도 트랜지스터에 대한 불소계 고분자 보호막의 영향, 한국화학공학회
장야극방 저, 김철주 역(1986), 집적회로공학, 경문사
Hiroshi Okuzawa 저, 양해권 역(1997), 트랜지스터기초, 기다리

키워드

터널다이오드,   트랜지스터,   동작,   작동,   금속산화막반도체,   터널다이오드 트랜지스터의 동작,   HEMT