반도체 - PN접합의 정의와 이용분야

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반도체 - PN접합의 정의와 이용분야에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

스턴 안에 있는 자유 전자들이 텅스텐 바깥으로 튀어나가서 진공관 안에 자리를 잡게 된다. 이 전자들은 Anode에 (+)전압이 걸리면 (-) 쪽 Cathode 방향으로는 밀려지고 (+)전극 Anode쪽으로 당겨져서 Cathode 에서 Anode쪽으로 이동하게 된다. 전기를 띤 입자들이 이동한다는 것은 전류가 이동한다는 것이다. 여기까지는 다이오드의 기능과 같다. 전류의 흐름은 전자가 이동하는 중간에 있는 Grid에 의해 이동 형태가 달라진다. Grid에 (+) 전하가 걸리게 되면 Cathode 쪽의 전자는 곧바로 Anode쪽으로 이동하게 되지만 (-)전하가 걸리게 되면 Anode쪽으로 가는 전자를 방해하게 된다. 따라서 Grid에 의해서 전류를 제어할 수 있게 된다. Fig.3 3극 진공관
　 　
트랜지스터는 그림(2) 처럼 PNP형태를 가지고 있다. 진공관이 3개의 전극 Anode, Grid, Cathod로 구성되어 있는것처럼 트랜지스터는 Collector, Base, Emitter의 3개의 전극으로 구성되어 있다. 기본적인 작용은 Emitter에서 출발한 정공이 Collector에 도달하게 되면 전류가 흐르게 된다. 3극 진공관이 Grid에 의해 전류를 제어하는 것과 마찬 가지로 트랜지스터에서는 Base에 의해서 전류를 제어하게 된다. Base에 어떠한 저항 값이 전해지느냐에 따라서 Emitter,Collector의 저항값이 변하게 된다. 즉 저항값을 Base에서 바꿀 수 있다는개념에서 'tranfer register'에서 'transistor'가 된 것이다.
그림(1) 극 진공관 그림(2) BJT

키워드

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