[전자전기컴퓨터설계실험3] N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정 결과보고서 (About MOSFET) : N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다

소개글

[전자전기컴퓨터설계실험3] N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정 결과보고서 (About MOSFET) : N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험제목………………………………………3

2. 실험목적………………………………………3

3. 실험장치………………………………………3

4. 실험 결과………………………………………4

5. 토의 및 오차해석……………………………9

6. 참고문헌………………………………………10

본문내용

1. 실험제목
　N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정

2. 실험목적
　N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.

3. 실험장치
　- FDC6329L (MOSFET 소자)
　- Function Generator, Power Supply
　- Oscilloscope
　- Breadboard, Jumping wire
　- 납, 인두기





≪ … 중 략 … ≫




5. 토의 및 오차해석

　≪ 그 래 프 ≫

　이번 실험은 납땜이 굉장히 중요한 실험이었다. 소자가 인두 끝 부분보다도 작아서 납땜하는데 상당히 어려움이 많았다. 납땜을 하면서도 소자와 인두가 살짝 이라도 닿으면 혹시 소자가 타 버렸을 까봐 조심스러웠다. 그리고 실제로 그렇게 되었다 해도 확인할 방법이 없었기 때문에 더 답답한 실험이었다.
납땜을 한 후, 이번 실험에서 확인할 것은 NMOS의 전류-전압 특성이었다. Vgs는 고정시키고 Vds를 바꿔가면서 그에 따른 Id 값이 어떻게 나오는지를 관찰하는 것이 목표였다. Vgs를 5V로 고정하였으므로 이론과 소자의 datasheet 대로라면 2V에서 약 0.7A의 전류값을 갖으며 saturation 됨을 알 수 있다. 그리고 위의 실험 결과에서 제시한 표가 우리 조에서 실험한 결과값이었다.

키워드

전자전기,   설계실험,   MOSFET,   N-Channel,   결과보고서,   MOSFET의 전류,   MOSFET의 전압,   N-Channel MOSFET