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본문내용
류가 흐르지 않게 되어 값이 딱 맞아 떨어진 경우라고 볼 수 있다. 실험 9와 15의 경우 역시 가 표면 누설 전류 값인데 이 또한 역방향 전압에 의하여 전류가 흐르지 않아 표면 누설 전류또한 생기지 않아서 값이 매우 잘나온 것이라 생각이 든다. 그리고 전체적으로 봤을 때, 와 의 값이 모두 다른데 이 이유는 멀티미터의 오차 때문이라 생각이 든다. 또한 이번 실험 시 극성의 표시를 못하였다는 점이 아쉽긴 했지만 실험을 통하여 오차의 발생 유무와 이론으로만 알던 BJT의 특성을 실험을 통하여 알아볼 수 있는 좋은 계기였다.
6.문제 풀이
1. 실험절차 5, 6과 11, 12에서 를 확인하라.
실험 5: (0.001) = (0.195) - (0.192) 성립하지 않음
실험 6: (0.048) = (7.346) - (7.929) 성립하지 않음
실험 11: (0.039) = (0.194) - (0.190) 성립하지 않음
실험 12: (0.041) = (7.311) - (7.897) 성립하지 않음
-가변저항을 5kΩ으로 하고 실험하였을 때는 오차가 거의 없었는데 최소로 하고 실험을 했을 때는 오차가 많이 생겼다.
- 예상 원인: 가변저항의 오차, β값의 변화, 멀티미터의 오차 등
2. 그림 3.1에서 그림 3.5까지의 회로 중에서 (a) npn, (b) pnp 형 트랜지스터의 forward bias 방법을 나타내는 것은? 또, 그 이유를 실험 결과를 이용하여 설명하라.
-그림 3-2는 pnp형, 그림 3-4는 npn형의 트랜지스터의 forward bias 방법
forward bias는 베이스, 에미터는 순방향 접속 베이스, 콜렉터는 역방향 접속 시 활성영역에서 동작. 즉, 적은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 얻을 수 있다.
-만약 이를 지키지 않게 되면 활성영역이 아닌 차단영역에서 동작하게 된다.
3. 에미터 bias를 증가시킬 때, 콜렉터 전류의 변화는 어떠한지 실험결과를 이용하여 설명하라.
-문제 6번과 12번처럼 가변저항 값을 최소로 하면, 베이스-에미터 간의 전류가 증가되어 콜렉터 전류도 증가되는 비례 관계를 볼 수 있다.
4. 에미터-베이스에 역 bias를 걸어주면, 콜렉터 전류는 어떻게 되는지 실험결과를 이용하여 설명하라.
-역 bias시 차단영역에서 동작하게 되며 문제 8번과 14번과 같이 아무 전류도 흐르지 않게 된다. 즉, 콜렉터 전류 또한 흐르지 않게 된다.
5. 의 물리적 의미를 설명하라. 또, 의 측정방법은?
-는 역방향 bias시 전압에 직접 비례하게 되는 표면누설 전류 값이다.
-측정법은 베이스-콜렉터 사이를 역방향 bias후 측정가능하나 그 값이 매우 작아 측정이 힘들다.
6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판
6.문제 풀이
1. 실험절차 5, 6과 11, 12에서 를 확인하라.
실험 5: (0.001) = (0.195) - (0.192) 성립하지 않음
실험 6: (0.048) = (7.346) - (7.929) 성립하지 않음
실험 11: (0.039) = (0.194) - (0.190) 성립하지 않음
실험 12: (0.041) = (7.311) - (7.897) 성립하지 않음
-가변저항을 5kΩ으로 하고 실험하였을 때는 오차가 거의 없었는데 최소로 하고 실험을 했을 때는 오차가 많이 생겼다.
- 예상 원인: 가변저항의 오차, β값의 변화, 멀티미터의 오차 등
2. 그림 3.1에서 그림 3.5까지의 회로 중에서 (a) npn, (b) pnp 형 트랜지스터의 forward bias 방법을 나타내는 것은? 또, 그 이유를 실험 결과를 이용하여 설명하라.
-그림 3-2는 pnp형, 그림 3-4는 npn형의 트랜지스터의 forward bias 방법
forward bias는 베이스, 에미터는 순방향 접속 베이스, 콜렉터는 역방향 접속 시 활성영역에서 동작. 즉, 적은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 얻을 수 있다.
-만약 이를 지키지 않게 되면 활성영역이 아닌 차단영역에서 동작하게 된다.
3. 에미터 bias를 증가시킬 때, 콜렉터 전류의 변화는 어떠한지 실험결과를 이용하여 설명하라.
-문제 6번과 12번처럼 가변저항 값을 최소로 하면, 베이스-에미터 간의 전류가 증가되어 콜렉터 전류도 증가되는 비례 관계를 볼 수 있다.
4. 에미터-베이스에 역 bias를 걸어주면, 콜렉터 전류는 어떻게 되는지 실험결과를 이용하여 설명하라.
-역 bias시 차단영역에서 동작하게 되며 문제 8번과 14번과 같이 아무 전류도 흐르지 않게 된다. 즉, 콜렉터 전류 또한 흐르지 않게 된다.
5. 의 물리적 의미를 설명하라. 또, 의 측정방법은?
-는 역방향 bias시 전압에 직접 비례하게 되는 표면누설 전류 값이다.
-측정법은 베이스-콜렉터 사이를 역방향 bias후 측정가능하나 그 값이 매우 작아 측정이 힘들다.
6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판
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