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반도체 공정은 크게 3가지로 나눌수 있는데, 첫번째가 웨이퍼 만드는 공정, 두 번째가 웨이퍼 위에 트랜지스터 만드는 공정이고, 마지막으로 플라스틱 씌어서 칩 만드는 공정이 있습니다.
그 중에서 웨이퍼 만드는 공정을 먼저 살펴보면 웨이퍼를 만들기 위한 실리콘을 만들때 그 실리콘 안에는 불순물이 없어야 합니다.
이건 반도체 단계 실리콘은 얻기 위한 단계인데요. 첫번재 공정으로 98%정도까지 얻을수 있지만 이걸로만 으로는 실리콘으로 쓰기에는 부적합합니다.
그래서 2번째 그리고 다시 3번째를 거치면서 더욱더 표하게 만들어 주는데요 하지만 이걸로도 반도체로 쓰기에는 조금 부족합니다.
실리콘 만들때 실리콘안에 불순물이 없어야함. (불순물 내가 원하는 곳에만 집어넣어야함).
1번공정 MGS는 실리콘으로 쓰끼에는 부적합. 표하지가 앖음(불순물 있음)
2번 공정을 거친후 다시 3번 공정을 거치면 나인6까지 만들수 있음.
그 중에서 웨이퍼 만드는 공정을 먼저 살펴보면 웨이퍼를 만들기 위한 실리콘을 만들때 그 실리콘 안에는 불순물이 없어야 합니다.
이건 반도체 단계 실리콘은 얻기 위한 단계인데요. 첫번재 공정으로 98%정도까지 얻을수 있지만 이걸로만 으로는 실리콘으로 쓰기에는 부적합합니다.
그래서 2번째 그리고 다시 3번째를 거치면서 더욱더 표하게 만들어 주는데요 하지만 이걸로도 반도체로 쓰기에는 조금 부족합니다.
실리콘 만들때 실리콘안에 불순물이 없어야함. (불순물 내가 원하는 곳에만 집어넣어야함).
1번공정 MGS는 실리콘으로 쓰끼에는 부적합. 표하지가 앖음(불순물 있음)
2번 공정을 거친후 다시 3번 공정을 거치면 나인6까지 만들수 있음.
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