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결과 및 고찰:
이번 실험을 하면서 반도체 소자가 주위의 환경에 많은 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다. 온도를 0℃, 20℃, 40℃, 60℃, 80℃로 증가를 시키면서 전류를 관찰하였더니 온도에 따라서 전류가 증가하고, 문턱전압이 낮아지는 것을
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실험에서도 실험결과 순방향 그래프는 정류 다이오드와 비슷한 특성을 가진 걸 확인 할 수 있었으나 역방향은 이론 그래프와는 달리 스위칭이 제너보다 더 빨리 역방향으로 전류가 증가하는 오차가 생겼다.(원래 이 실험에서는 스위칭 다이
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m3
5
3
2
C
1.0850 g/cm3
3
1
1
[ Plot 1. 모델식 결과 ]
[ Plot 2. 실험 결과 ]
[ Table 3. 오차율(%) ]
Sample
100rpm
200rpm
300rpm
A
45.8
59.5
7.4
B
70.1
104.1
104.1
C
6.4
29.1
6.4
◆ ◆ 4. 고 찰
반도체나 자동차의 특수유리에서 사용되고 있는 기술인 코팅기술을 간단하게 실험
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실험장비와 측정과정에서의 오차 때문인 것 같다. 하지만 Si와 Ge의 출력파형에서는 동작전압의 차이가 명확히 눈에 나타난다.
2.결과
이번실험을 통해 알 수 있었던 것으로는 첫째로 Si와 Ge의 반도체는 일정전압이상이 가해졌을 때 반도체들
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높은 초록색 LED의 전압이 가장 높고, 그 다음으로 노란색 LED, 빨간색 LED의 문턱 전압이 제일 낮아 전압이 낮다. 1.실험 목적 및 배경이론
1)실험 목적
2)배경 및 이론
2.실험내용
1)실험기구 준비
2)실험 진행
3.실험결과
4.생각해 보기
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