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RAM는 고속이고, 상변화 메모리는 고밀도이다.
⑦ 일본 동북대 Ohno 그룹 & 캘리포니아 Santa Barbara 대학의 Awschalom그룹
GaAs 헤테로구조에 3-5족 자성반도체인 GaMnAs를 사용하여 액체질소 온도에서 자기장에 따라 서로 다른 방향으로 스핀 분극된 빛
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차이를 줄임으로써 CPU의 효율성을 높일 수 있다
- 자주 사용되는 data, 최근에 사용했던 명령어 저장 1. 기억 장치의 분류
2. 주기억 장치의 종류
3. 반도체 기억장치
4. RAM(Random Access Memory)
5. 보조기억장치
6. 자기디스크 장치
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, Ziff-Davis, Ron White지음, (p.35~51)
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http://blog.naver.com/gydusl1177
, 효여니의 블로그, <반도체지식>
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http://blog.naver.com/magiclamp777
, 바바의 요술램프 블로그
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http://www.dt.co.kr/contents.htm
디지털 타임즈<사설> 1.반도체 기억장치
2.RAM
3.ROM
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메모리(Memory)제품의 정의
*정보를 기억(저장)할 수 있도록 만든 반도체 IC.
*읽고(Read) 쓸 수 (Write)있는 램(RAM)제품
*읽기만 할 수 있는 롬(ROM)제품
*디지털 카메라등의 발상소자인 CCD
*기타 스페셜 메모리로 구분 - RAM : DRAM, SRAM, VIDEO R
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RAM)
FRAM은 강유전체라는 물질의 성질을 이용하는 메모리 반도체이다. 강유전체란 자연 상태에서 전기편극을 갖고 있는 물질로 전기장을 가하지 않아도 자발적으로 전기편극이 있는 물질을 말하는데 이런 물질에는 플럼범 지르코늄 티타늄 산
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1. 램리서치코리아를 어떻게 알게 되셨나요? 램리서치코리아에서 일하고 싶은 이유는 무엇인가요?
후방산업인 장비업체는 을의 위치라는 인식이 강했지만, 램 리서치는 현재 그 틀을 깨고 있으며 최고의 장비 기술이 반대로 반도체 제조업계
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