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예상대로 온도가 증가함에 따라 전류가 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 에서 전기전도도는 전류에 비례하기 때문에 위의 식을 통해 전기전도도도 증가한다고 유추할 수 있다.
§ 이론에 나온 식인 를 통해 온도가 증가함에 따라 전자의 밀도
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비커 바닥까지 담궈서는 안됩니다. 이는 바닥에 가라앉은 침전층이 남아있어 더 높은 농도의 전기전도도가 측정될 수 있습니다. 또한 측정 후에는 다음 측정을 위해 셀의 표면을 증류수로 깨끗하게 닦아내야합니다. 이는 셀을 닦아낼 때 비커
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cm)
전기전도도 (m ·cm) ̄
18
11.25
0.0889
40
11.54
0.0867
60
11.84
0.0845
80
12.09
0.0827
100
<온도와 저항>
③Si wafer
온도
비저항 ( ·cm)
전기전도도 ( ·cm) ̄
18
26.68
0.0375
40
31.02
0.0322
60
34.05
0.0294
80
37.67
0.0265
100
41.39
0.0241
<온도와 저항>
7. 고 찰
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전기전도도값은 1,409 S/㎝이다.
0.001 M-염화칼륨 용액
0.01 M-염화칼륨 용액 100 ㎖를 정확히 취하여 1,000 ㎖ 메스플라스크에 넣고 25 의 물(2 S/㎝ 이하)을 넣어 눈금까지 채운다.
이 액의 25 에서의 전기전도도값은 147 S/㎝ 이다.
4. 시료의 전기전
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전도도는 높아진다. 그러나 그 온도가 임계점에 도달하면 열전도도는 더 이상 커지지 않고 임계온도이하에서는 오히려 감소한다. 이론(전기전도도, 열전도도)
1. 전기전도도
2. 열전도도
실험Data분석(전기전도도, 열전도도)
1. 전기
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